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| 晶体基片专题资料光盘 |
| 时间:2009-6-7,点击:0 |
光盘编号:843703 《晶体基片专题资料光盘》包括专利技术全文资料179份。整套光盘收费260元,全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式: (1)在线订购>>点击此处 客服qq: 78865105 (2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751(周一至周六18:00以后,周日及法定节假日全天) (3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称 (843703-0179) 石英晶体偏光分光板 (843703-0178) 薄膜晶体管阵列面板 (843703-0177) 薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质 (843703-0176) 使用低能量等离子体系统制造高介电常数晶体管栅极的方法和装置 (843703-0175) 三重扩散法制备绝缘栅双极晶体管用n-/p-/p+衬底方法 (843703-0174) 图案形成方法,有机场效应晶体管的制造方法,以及柔性印刷电路板的制造方法 (843703-0173) 具有监控电极的石英晶体装置 (843703-0172) 硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法 (843703-0171) 一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法 (843703-0170) 一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法 (843703-0169) 基于光子晶体的复合式生物芯片 (843703-0168) 薄膜晶体管及其制造方法 (843703-0167) 无籽晶声表面波石英晶体的生产方法 (843703-0166) 一种钆镓石榴石平界面晶体的制备方法 (843703-0165) 基于光子晶体材料的超精密加工装置及其成像监测方法 (843703-0164) 一种纳米晶体图形转印的方法及纳米晶体图形材料 (843703-0163) 通过选择性生长来制造ge或sige/si波导或光子晶体结构的方法 (843703-0162) 薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 (843703-0161) 场效应晶体管 (843703-0160) 具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管 (843703-0159) 聚苯乙烯光子晶体及聚苯乙烯光子晶体光开关 (843703-0158) 包括带镜面的倍频效应晶体的垂直外腔面发射激光器 (843703-0157) 铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法 (843703-0156) 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 (843703-0155) 由非晶体氟树脂制成的模及其制造方法 (843703-0154) 一种光子晶体光限幅器的制作方法 (843703-0153) 一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法 (843703-0152) 一种硬脆晶体基片超精密磨削砂轮 (843703-0151) 具有多个场板的宽能带隙晶体管 (843703-0150) 横向绝缘栅双极型晶体管 (843703-0149) 一种制备光子晶体的方法 (843703-0148) 一种硬脆晶体薄基片研磨抛光的粘片方法 (843703-0147) 用于测量生物构造的场效应晶体管 (843703-0146) 薄膜晶体管的制造方法 (843703-0145) 应变沟道晶体管及其制造方法 (843703-0144) 光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法 (843703-0143) 用于cmos的应变晶体管集成 (843703-0142) 有机薄膜晶体管及其制造方法 (843703-0141) 高电子迁移率晶体管电路t型栅制作方法 (843703-0140) 用于制造半导体装置的晶体管的方法 (843703-0139) 图案形成方法,有机场效应晶体管的制造方法,以及柔性印刷电路板的制造方法 (843703-0138) 制造cmos场效应晶体管的方法和设备 (843703-0137) 垂直传输晶体管dram单元中自对准的漏极/沟道结 (843703-0136) 异质结构沟道绝缘栅极场效应晶体管的制造方法及晶体管 (843703-0135) 形成凹槽栅极场效应晶体管的结构和方法 (843703-0134) 薄膜晶体管或等离子体显示应用的平板的制造方法 (843703-0133) 用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法 (843703-0132) 一种具有微带闭合环路的光子晶体微带线 (843703-0131) 薄膜晶体管基片 (843703-0130) 多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置 (843703-0129) 制造薄膜晶体管的方法 (843703-0128) 表面安装晶体单元 (843703-0127) 薄膜晶体管阵列面板及液晶显示器 (843703-0126) 使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法 (843703-0125) 光子晶体变频装置 (843703-0124) 以胶体晶体为模板的蛋白质传感敏感膜的制备方法 (843703-0123) 纳米晶体电子器件 (843703-0122) 利用微透镜阵列的薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法 (843703-0121) 薄膜晶体管基片、其cad程序和转移法及显示器件 (843703-0120) 一种高性能纳米晶体管的制备方法 (843703-0119) 光学研磨机及用其加工半导体用兰宝石晶体基片的方法 (843703-0118) 光子晶体全方向全反膜 (843703-0117) 薄膜晶体管的制造方法 (843703-0116) 一种具有纳米结的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管的制备方法 (843703-0115) 非线性光学晶体内基频激光相位控制装置 (843703-0114) 在使用中可编程的具有超薄垂直体晶体管的逻辑阵列 (843703-0113) 带有超薄垂直体晶体管的快速存储器 (843703-0112) 一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法 (843703-0111) 抗x射线辐照的掺铈镁铝尖晶石晶体及其制备方法 (843703-0110) 利用特定晶体管取向的cmos制造方法 (843703-0109) 铝酸镁尖晶石晶体的生长方法 (843703-0108) 垂直双基片制备自组装胶体晶体的方法 (843703-0107) 半导体晶体基片的评价方法 (843703-0106) 液晶显示器及用于该液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板 (843703-0105) 形成图案的方法,薄膜晶体管,显示设备及制法和应用 (843703-0104) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0103) 薄膜晶体管的制造方法 (843703-0102) 薄膜晶体管阵列面板及包括该面板的液晶显示器 (843703-0101) 结晶用掩模、结晶方法及包括该结晶方法的制造薄膜晶体管阵列面板的方法 (843703-0100) 用于显示器的薄膜晶体管阵列面板 (843703-0099) 具有薄膜晶体管的器件 (843703-0098) 利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法 (843703-0097) 横向耗尽结构的场效应晶体管 (843703-0096) 薄膜晶体管阵列面板 (843703-0095) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0094) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0093) 多区域液晶显示器及其薄膜晶体管基片 (843703-0092) 用于布线的蚀刻剂、利用该蚀刻剂制造布线的方法、包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0091) 具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的源极和/或漏极的场效应晶体管 (843703-0090) 非晶硅薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法 (843703-0089) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0088) 外围晶体管的金属化触点形成方法 (843703-0087) 布线结构、利用该布线结构的薄膜晶体管基片及其制造方法 (843703-0086) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0085) 薄膜晶体管阵列面板 (843703-0084) 以胶体晶体为墨水进行微接触印刷的方法 (843703-0083) 设有阻挡/间隔层的iii族氮化物基高电子迁移率晶体管 (843703-0082) 一种产生三维光子晶体结构的方法和装置 (843703-0081) 薄膜晶体管阵列面板 (843703-0080) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0079) 半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0078) 薄膜晶体管阵列面板 (843703-0077) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0076) 曝光方法及利用该曝光方法制造用于液晶显示器的薄膜晶体管基片的方法 (843703-0075) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 (843703-0074) 光学蓝宝石晶体基片的研磨工艺 (843703-0073) c波段硅功率晶体管 (843703-0072) 浮式金属氧化物半导体场效应晶体管 (843703-0071) 微型石英晶体恒温器 (843703-0070) 形成到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管 (843703-0069) 薄膜晶体管基片、其转移法及显示器件 (843703-0068) 具有edmos晶体管的半导体器件及其制备方法 (843703-0067) 一种异质结双极晶体管及其制备方法 (843703-0066) 多位纳米晶体存储器 (843703-0065) 具有增强迁移率的应变沟道的非平面体晶体管及制造方法 (843703-0064) 包含曲面光子晶体膜结构的全可见光聚光器的制备方法 (843703-0063) 双极晶体管及其制造方法 (843703-0062) 制造半导体基片上晶体管元件之间连接的方法及半导体器件 (843703-0061) 生长gan晶体基片的方法和gan晶体基片 (843703-0060) 薄膜晶体管基片及其制造方法 (843703-0059) 高频晶体振荡器和高频信号产生方法 (843703-0058) 具有薄膜晶体管的器件 (843703-0057) 铁电场效应晶体管及其制备方法 (843703-0056) 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法 (843703-0055) 铁电存储器场效应晶体管器件及其制作方法 (843703-0054) 适用于非易失性存储器的隧道晶体管 (843703-0053) znse晶体基片的热处理法,热处理的基片和光发射装置 (843703-0052) 生产晶体管的方法 (843703-0051) 具有垂直晶体管的集成电路布置结构和该布置结构的制造方法 (843703-0050) 垂直金属-氧化物-半导体晶体管 (843703-0049) 垂直金属-氧化物-半导体晶体管及其制造方法 (843703-0048) 真空场效应晶体管 (843703-0047) 薄膜晶体管的制造方法 (843703-0046) 薄膜晶体管的制造方法 (843703-0045) qcm(石英晶体微量天秤)传感器 (843703-0044) 经表面显微机械加工的声波压电晶体 (843703-0043) 包括由具有相同晶体结构和成长方向的材料制成的引晶部件和电显示部件的薄膜致动反射镜 (843703-0042) 表面晶体缺陷的测量方法及装置 (843703-0041) 具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器 (843703-0040) 用来生产三维光学晶体的工艺 (843703-0039) 含有增强型晶体管电路的偏压电路的集成电路器件 (843703-0038) 有降低漏电流的晶体管的半导体器件及其制造方法 (843703-0037) 功率晶体管 (843703-0036) 制造半导体器件中晶体管的方法 (843703-0035) 双极晶体管电路元件 (843703-0034) 制造具有各种金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件的方法 (843703-0033) 一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法 (843703-0032) 晶体管及制造该晶体管的方法 (843703-0031) 具有偏置栅极结构的薄膜晶体管的制造方法 (843703-0030) 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法 (843703-0029) 制取固体激光器用的晶体薄膜的方法和装置 (843703-0028) 带反向misfet基片的超导场效应晶体管及其制作方法 (843703-0027) △-掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法 (843703-0026) 具有改良的绝缘栅型晶体管的半导体器件 (843703-0025) 电光性液晶体系 (843703-0024) 制备选择晶体生长基片的方法,选择晶体生长方法和利用该方法制备太阳电池的方法 (843703-0023) 形成晶体薄膜的方法 (843703-0022) 门关断闸流晶体管及其制造方法 (843703-0021) 具有垂直mos晶体管的只读存储单元装置的制造方法 (843703-0020) 曝光装置及形成薄膜晶体管的方法 (843703-0019) 制作发光面板基片的透明多晶体 (843703-0018) 用改进的小型区抑制何短沟道的mos晶体管及其制造方法 (843703-0017) 恒温晶体组件及其制造方法 (843703-0016) 电路装置及适用于该电路装置的结型场效应晶体管 (843703-0015) 制造金属氧化物场效应晶体管的方法 (843703-0014) 包括薄膜晶体管的电子器件及其制造 (843703-0013) 制备各向异性晶体膜的方法及实施该方法的装置 (843703-0012) 一种自动对准光屏蔽层的薄膜晶体管 (843703-0011) 薄膜晶体管的制造方法 (843703-0010) 一种易受潮变性晶体薄膜的透射电子显微镜样品制备方法 (843703-0009) 一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法 (843703-0008) 用于cmos过程的双金属栅极晶体管 (843703-0007) 场效应晶体管器件 (843703-0006) 使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件 (843703-0005) 晶体管形成方法 (843703-0004) 面结型场效应晶体管及其制造方法 (843703-0003) 薄膜晶体管及其制造方法 (843703-0002) 计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法 (843703-0001) 用硅绝缘体(soi)基片上的应变si/sige层的迁移率增强的nmos和pmos晶体管
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