sz89.com
设为首页
加入收藏

  网站首页 | 专题资料 | 电气元件 | 电气元件 | 电子电路 | 电子通信 | 电路设备 | 汇款方式 | 联系我们

类别
电气元件 发电变电
电子电路 电子通信
电路设备
最新推荐
制造等离子体专题资料光盘
绝缘砷化镓专题资料光盘
背光电路专题资料光盘
冲击隔板专题资料光盘
专真空管专题资料光盘
一体化散热器专题资料光盘
调节线圈专题资料光盘
防爆箱专题资料光盘
蓄电池电极板专题资料光盘
半酒石酸专题资料光盘
首页 >> 专题资料 >> 电气元件
制造单晶专题资料光盘
时间:2009-6-5,点击:0
  光盘编号:843116 《制造单晶专题资料光盘》包括专利技术全文资料203份。整套光盘收费260元,全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式:
(1)在线订购>>点击此处      客服qq: 78865105
(2) 电话订购 0755-33090789-1(分机)  13322986951/13322986751(周一至周六18:00以后,周日及法定节假日全天)
(3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)  

 
     技术编号         技术名称
(843116-0203)  一种用于切克劳斯基法制造硅单晶再装料或籽晶装置中钢绳的紧固件
(843116-0202)  一种用于切克劳斯基法制造硅单晶再装料用的锥形底托
(843116-0201)  制造碳化硅单晶的方法
(843116-0200)  透光单晶硅太阳电池的制造方法
(843116-0199)  sic单晶的制造方法
(843116-0198)  氮化物单晶的制造方法及其装置
(843116-0197)  氮化物单晶的制造装置
(843116-0196)  氮化物单晶的制造装置
(843116-0195)  一种硅单晶片制造开放pn结快恢复整流二极管的方法
(843116-0194)  gan单晶衬底以及gan单晶衬底的制造方法
(843116-0193)  制造超低缺陷半导体单晶锭的方法及设备
(843116-0192)  制造具有薄膜的金刚石单晶的方法和具有薄膜的金刚石单晶
(843116-0191)  一种掺镓单晶硅太阳电池及其制造方法
(843116-0190)  超净工作台及单晶硅用原料的制造方法
(843116-0189)  采用液相生长法的zno单晶的制造方法
(843116-0188)  一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
(843116-0187)  一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法
(843116-0186)  制造单晶铸硅的方法和装置以及用于光电领域的单晶铸硅实体
(843116-0185)  单晶硅晶片的制造方法
(843116-0184)  单晶硅晶片的制造方法
(843116-0183)  单晶硅太阳能电池表面处理用的制绒剂及其制造方法
(843116-0182)  单晶的制造方法
(843116-0181)  强电介质单晶、使用其的弹性表面波滤波器及其制造方法
(843116-0180)  包含在衬底上的至少一个单晶层的元件的制造方法
(843116-0179)  单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
(843116-0178)  单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
(843116-0177)  氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法
(843116-0176)  碳化硅单晶的制造方法
(843116-0175)  氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法
(843116-0174)  形成纳米单晶硅的方法和非挥发性半导体存储器制造方法
(843116-0173)  结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板
(843116-0172)  含pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置
(843116-0171)  单晶的制造方法及退火晶片的制造方法
(843116-0170)  用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法
(843116-0169)  单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
(843116-0168)  磁性石榴石单晶及使用其的光学元件和单晶的制造方法
(843116-0167)  igbt用硅单晶片和igbt用硅单晶片的制造方法
(843116-0166)  用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
(843116-0165)  含有ga的氮化物半导体单晶、其制造方法以及使用该结晶的基片和器件
(843116-0164)  用于制造单晶的设备和方法、单晶及半导体晶片
(843116-0163)  ain单晶的制造方法以及ain单晶
(843116-0162)  硅片及其制造方法,以及硅单晶的培育方法
(843116-0161)  磁性石榴石单晶及其制造方法和使用其的光学元件
(843116-0160)  <110>无位错硅单晶的制造方法
(843116-0159)  自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
(843116-0158)  氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
(843116-0157)  ⅲ族氮化物单晶体及其制造方法以及半导体器件
(843116-0156)  单晶氧化镁烧结体及其制造方法以及等离子体显示板用保护膜
(843116-0155)  一种纳米单晶金刚石及其制造方法
(843116-0154)  柔性单晶膜及其制造方法
(843116-0153)  压电单晶元件及其制造方法
(843116-0152)  单晶及其制造方法
(843116-0151)  压电单晶元件及其制造方法
(843116-0150)  制造硅单晶的方法
(843116-0149)  薄膜电晶体的制造方法及将非晶层转换成复晶层或单晶层的方法
(843116-0148)  碳化硅(sic)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(sic)单晶
(843116-0147)  化合物单晶的制造方法和用于该制造方法的制造装置
(843116-0146)  用于支撑生长中的半导体材料单晶的支撑装置以及制造单晶的方法
(843116-0145)  制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件
(843116-0144)  制造单晶发射区的方法
(843116-0143)  氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
(843116-0142)  一种单晶相莫来石的工业制造方法
(843116-0141)  单晶制造方法及其装置
(843116-0140)  化合物半导体单晶及其生长用容器和制造方法
(843116-0139)  氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
(843116-0138)  压电单晶、压电单晶元件及其制造方法
(843116-0137)  金刚石单晶衬底的制造方法和金刚石单晶衬底
(843116-0136)  具有多孔单晶层的半导体芯片及其制造方法
(843116-0135)  制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法
(843116-0134)  用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
(843116-0133)  制造在单晶氮化镓衬底上的ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
(843116-0132)  制造用于从其上切割半导体晶片的单晶块的方法
(843116-0131)  含有铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法
(843116-0130)  单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
(843116-0129)  磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法
(843116-0128)  硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片
(843116-0127)  硅晶片及其制造方法、以及硅单晶生长方法
(843116-0126)  一种用于制造单晶纳米结构的振动滚压法
(843116-0125)  磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法、光学元件及其制造方法
(843116-0124)  磁性石榴石单晶膜形成用基板、光学元件及其制造方法
(843116-0123)  氮化镓单晶基板及其制造方法
(843116-0122)  β-ga2o3单晶生长方法、薄膜单晶生长方法、ga2o3发光器件及其制造方法
(843116-0121)  用于制造单晶棒的设备和方法
(843116-0120)  制造单晶半导体晶片的方法及实施该方法的激光加工设备
(843116-0119)  块状单晶含镓氮化物制造方法
(843116-0118)  单晶体随机存取存储单元、存储器装置及其制造方法
(843116-0117)  单晶硅微机械加工的电容式麦克风及其制造方法
(843116-0116)  化合物半导体单晶的制造方法和晶体生长装置
(843116-0115)  氮化物单晶生长方法、氮化物半导体发光装置及制造方法
(843116-0114)  用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场
(843116-0113)  用于八英寸重掺砷直拉硅单晶制造的上部热场
(843116-0112)  用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗
(843116-0111)  通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
(843116-0110)  gan单晶衬底及其制造方法
(843116-0109)  制造埋入的绝缘层型的单晶碳化晶基体用的方法和设备
(843116-0108)  单晶硅膜的制造方法
(843116-0107)  用于制造复杂形状结构的单晶体构件的方法
(843116-0106)  复合氧化物单晶的制造方法
(843116-0105)  单晶的制造方法
(843116-0104)  制造单晶结构的方法
(843116-0103)  硅单晶及其制造方法
(843116-0102)  znte系化合物半导体单晶的制造方法和znte系化合物半导体单晶及半导体器件
(843116-0101)  制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
(843116-0100)  单晶,溶液中生长单晶的制造方法和应用
(843116-0099)  单晶硅及soi基板、半导体装置及其制造方法、显示装置
(843116-0098)  化合物半导体单晶体生长用容器以及使用其的化合物半导体单晶体的制造方法
(843116-0097)  直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法
(843116-0096)  二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
(843116-0095)  ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的ⅲ族元素氮化物透明单晶
(843116-0094)  提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
(843116-0093)  单晶与定向柱晶复合结晶叶片及其制造方法
(843116-0092)  单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
(843116-0091)  金刚石单晶合成衬底及其制造方法
(843116-0090)  微型单晶片式麦克风及其制造方法
(843116-0089)  单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
(843116-0088)  一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法
(843116-0087)  高电阻率碳化硅单晶体及制造方法
(843116-0086)  压电单晶元件及其制造方法
(843116-0085)  单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构
(843116-0084)  磷化铟单晶的制造方法
(843116-0083)  使用提拉法制造半导体单晶的方法以及使用该方法制造的单晶锭和晶片
(843116-0082)  硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
(843116-0081)  半导体单晶制造装置
(843116-0080)  半导体单晶制造装置
(843116-0079)  单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
(843116-0078)  单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
(843116-0077)  带源极和漏极绝缘区域的单晶体管存储装置及其制造方法
(843116-0076)  单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
(843116-0075)  单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
(843116-0074)  硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
(843116-0073)  硅单晶的制造方法和硅晶片
(843116-0072)  单晶氧化镁及其制造方法
(843116-0071)  单晶拉制机与重型晶体的制造方法
(843116-0070)  具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片及其制造方法
(843116-0069)  低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
(843116-0068)  氮化镓单晶膜的制造方法
(843116-0067)  硅片及硅单晶的制造方法
(843116-0066)  单晶制造装置及单晶制造方法
(843116-0065)  高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
(843116-0064)  单晶gan基体的制造方法和单晶gan基体
(843116-0063)  具有单晶部件和金属部件的微型机电装置,以及相关制造方法
(843116-0062)  氧化物单晶的制造装置及制造方法
(843116-0061)  用于制造至少一种sic单晶体的装置和方法
(843116-0060)  氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法
(843116-0059)  gan单晶衬底及其制造方法
(843116-0058)  制造磁性石榴石单晶膜和具有不均匀厚度的磁性石榴石单晶膜的方法
(843116-0057)  单晶制造方法及单晶制造装置
(843116-0056)  gan单晶衬底及其制造方法
(843116-0055)  形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
(843116-0054)  单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体
(843116-0053)  低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
(843116-0052)  通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
(843116-0051)  单晶sic及其制造方法
(843116-0050)  单晶sic及其制造方法
(843116-0049)  制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
(843116-0048)  双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法
(843116-0047)  单晶sic及其制造方法
(843116-0046)  氮化镓单晶衬底及其制造方法
(843116-0045)  硅单晶的制造方法及其使用的晶种
(843116-0044)  单晶硅锭及其制造方法
(843116-0043)  用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置
(843116-0042)  金刚石单晶薄膜的制造方法
(843116-0041)  钛酸钡单晶的制造方法
(843116-0040)  硅单晶薄片制造晶体管的方法
(843116-0039)  制造硅单晶的设备
(843116-0038)  制造单晶硅的装置
(843116-0037)  制造硅单晶设备
(843116-0036)  硅单晶制造装置
(843116-0035)  制造单晶硅的设备
(843116-0034)  用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件
(843116-0033)  一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
(843116-0032)  制造硅单晶的设备
(843116-0031)  用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件
(843116-0030)  制造硅单晶的方法和设备
(843116-0029)  单晶氧化铝颗粒的制造方法
(843116-0028)  单晶硅的制造方法和设备
(843116-0027)  用于表面波装置的同组分铌酸锂单晶及其制造方法
(843116-0026)  用三硼酸锂单晶体制造的非线性光学器件
(843116-0025)  制造半导体单晶装置
(843116-0024)  在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
(843116-0023)  具有单晶体部分的燃烧透平叶片的制造方法
(843116-0022)  以纯氮作为保护气氛 的重掺锑硅单晶的制造方法
(843116-0021)  含铈磁性石榴石单晶及其制造方法
(843116-0020)  不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
(843116-0019)  氮化铝块状单晶的制造方法
(843116-0018)  mgb2单晶体和其制造方法以及含有mgb2单晶体的超导材料
(843116-0017)  直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
(843116-0016)  畴控制压电单晶元件及其制造方法
(843116-0015)  含单晶氧化物导体的叠层体、激励器和喷墨头及制造方法
(843116-0014)  制造高掺杂硅单晶的方法
(843116-0013)  绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
(843116-0012)  绝缘体上的单晶硅(soi)材料的制造方法
(843116-0011)  硬磁性柘榴石材料、其单晶体膜的制造方法、法拉第旋转子、其制造方法和用途
(843116-0010)  制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法
(843116-0009)  非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及其检查装置、以及利用该非单晶薄膜的薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列及图像显示装置
(843116-0008)  退火单晶片的制造方法及退火单晶片
(843116-0007)  单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片
(843116-0006)  单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备
(843116-0005)  单晶制造方法
(843116-0004)  单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法
(843116-0003)  单晶氮化镓基板,单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
(843116-0002)  单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
(843116-0001)  单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法

打印】【关闭

深圳市万宁达信息咨询有限公司 广东省深圳市罗湖区宝安北路桃园商业大厦三楼

联系我们  |  订购方法  |  汇款方式
copyright 2004-2008 all rights reserved   粤icp备08123914号