|
|
| 首页 >> 专题资料 >> 电气元件 |
| 绝缘砷化镓专题资料光盘 |
| 时间:2009-6-5,点击:0 |
光盘编号:843108 《绝缘砷化镓专题资料光盘》包括专利技术全文资料20份。整套光盘收费230元,全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式: (1)在线订购>>点击此处 客服qq: 78865105 (2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751(周一至周六18:00以后,周日及法定节假日全天) (3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称 (843108-0020) 一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置 (843108-0019) 一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底 (843108-0018) 一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法 (843108-0017) 制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品 (843108-0016) 一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备 (843108-0015) 提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法 (843108-0014) 离子注入砷化镓吸收镜 (843108-0013) 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 (843108-0012) 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 (843108-0011) 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 (843108-0010) 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料 (843108-0009) 6英寸半绝缘砷化镓中el2浓度的测量方法 (843108-0008) 低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜 (843108-0007) 一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法 (843108-0006) 采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法 (843108-0005) 生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置 (843108-0004) 一种砷化镓pin二极管及其制作方法 (843108-0003) 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 (843108-0002) 砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法 (843108-0001) 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
|
|
|
|
| 【打印】【关闭】 |
|
|