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光盘编号：835217 《晶体硅专题资料光盘》包括专利技术全文资料423份。整套光盘收费380元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
(835217-0421) 硅单晶炉生长晶体实时称重装置
(835217-0420) 一种晶体硅太阳能电池板
(835217-0419) 一种晶体硅太阳能光电光热电池组件
(835217-0418) 一种晶体硅太阳能电池组件光电光热利用系统
(835217-0417) 超大晶体硅太阳能电池组件连续式固化炉
(835217-0416) 晶体硅太阳电池中空夹胶幕墙组件
(835217-0415) 多晶硅定向凝固下拉晶体生长的重心驱动传动机构
(835217-0414) 一种一次可生产多根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0413) 一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0412) 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0411) 一种一次可生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0410) 一种一次可生产七根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0409) 一种一次可生产六根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0408) 一种一次可生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0407) 一种可同时生产两根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0406) 一种可同时生产两根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0405) 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0404) 可同时生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0403) 一种一次可生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0402) 一种一次可生产六根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0401) 一种一次可生产七根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0400) 一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
(835217-0399) 磨切晶体硅的金刚石圆锯条
(835217-0398) 锯齿状晶体硅太阳能电池背电极
(835217-0397) 网络状晶体硅太阳能电池背电场
(835217-0396) 晶体硅硅片扩散炉
(835217-0395) 在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备
(835217-0394) 磨切晶体硅材料的金刚石圆环锯条
(835217-0393) 一次可生产两根硅芯及其它晶体材料的双目高频线圈
(835217-0392) 一种具有极高密封性能的晶体硅太阳能电池组件
(835217-0391) 一次可生产多根硅芯及其它晶体材料的高频线圈
(835217-0390) 晶体硅太阳电池组件用焊串样板
(835217-0389) 晶体硅太阳电池组件用接线盒的扣盖式结构
(835217-0388) 晶体硅太阳电池组件用接线盒的导电体结构
(835217-0387) 晶体硅太阳电池组件用接线盒的灌胶密封结构
(835217-0386) 晶体硅太阳电池组件全自动固化炉
(835217-0385) 具新型浆层的晶体硅电池
(835217-0384) 低温多晶硅薄膜晶体管基板
(835217-0383) 绝缘层上有硅芯片的鳍状元件及应用它的单一晶体管静态随机存取内存
(835217-0382) 低温多晶硅薄膜晶体管
(835217-0381) 低温多晶硅薄膜晶体管
(835217-0380) 多晶硅薄膜晶体管离子注入机
(835217-0379) 一种电热器具用三工位硅晶体闸流管开关
(835217-0378) 制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具
(835217-0377) 黑色金属碱土金属硅酸盐混合晶体荧光体和使用它的发光器件
(835217-0376) 用于粉碎粗糙破碎的多晶体硅的装置和方法
(835217-0375) 直拉式单晶炉中晶体与熔硅液面熔接状态自动检测装置
(835217-0374) 具有基于碳化硅的非晶硅薄膜晶体管的堆叠非易失性存储器及其制造方法
(835217-0373) 一种具有多孔硅背反射层的晶体硅太阳电池
(835217-0372) 晶体硅太阳能电池片弯曲片的矫正方法
(835217-0371) 掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法
(835217-0370) 硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法
(835217-0369) 一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
(835217-0368) 一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法
(835217-0367) 在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和mos晶体管的集成电路
(835217-0366) 亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法
(835217-0365) 用于易碎晶体硅片的双面连续串联焊接系统及其焊接方法
(835217-0364) 应变硅晶体管的锗硅和多晶硅栅极结构
(835217-0363) 围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法
(835217-0362) 晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法
(835217-0361) 晶体硅太阳能电池的选择性扩散方法
(835217-0360) 晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法
(835217-0359) 基于硅酸稼镧晶体1.3μm电光开关的人眼安全拉曼激光器
(835217-0358) 多晶硅的制法、薄膜晶体管及制法及有机发光二极管显示装置
(835217-0357) 形成多晶硅的方法和采用多晶硅的薄膜晶体管及其制法
(835217-0356) 大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法
(835217-0355) 一种硅晶体的生产方法
(835217-0354) 用于制造硅或其他晶体材料的带的装置及制造方法
(835217-0353) 藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术
(835217-0352) 一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法
(835217-0351) 多晶硅薄膜晶体管
(835217-0350) 金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
(835217-0349) 一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途
(835217-0348) 用硅粉和硫化锌粉末合成宏观量晶体sic纳米纤维的方法
(835217-0347) 具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法
(835217-0346) 应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(835217-0345) 一种晶体硅太阳能电池组件光电光热利用系统
(835217-0344) 作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐
(835217-0343) 制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
(835217-0342) 使用可变磁场控制生长的硅晶体的熔体-固体界面形状
(835217-0341) 晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸
(835217-0340) 铝基晶体硅颗粒太阳电池及其制备方法
(835217-0339) 一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法
(835217-0338) 结晶硅的方法、结晶硅的装置，薄膜晶体管及显示装置
(835217-0337) 应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管
(835217-0336) 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
(835217-0335) 晶体硅太阳能电池背电极
(835217-0334) 抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
(835217-0333) 由碳化硅制造的单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管及其制造方法
(835217-0332) 选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法
(835217-0331) npn型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
(835217-0330) 含硅感光性组合物、使用该组合物的薄膜图案的制造方法、电子机器用保护膜、栅极绝缘膜和薄膜晶体管
(835217-0329) 掺铥钬硅酸镥钇激光晶体及其制备方法
(835217-0328) 一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法
(835217-0327) 一种晶体硅太阳电池热扩散制备pn结的方法
(835217-0326) 一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法
(835217-0325) n型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法
(835217-0324) 一种氧化硅介孔晶体及其制备方法
(835217-0323) 硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件
(835217-0322) 制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法
(835217-0321) 多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
(835217-0320) 低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法
(835217-0319) 碳化硅mos场效应晶体管以及其制造方法
(835217-0318) 低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
(835217-0317) 非晶硅薄膜晶体管及具有该晶体管的有机发光显示器件
(835217-0316) 一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法
(835217-0315) 用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
(835217-0314) 具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管
(835217-0313) 多孔硅层结构的晶体硅太阳电池
(835217-0312) 非晶硅－晶体硅异质结太阳电池
(835217-0311) 一种金属氧化物硅场效应晶体管制备工艺
(835217-0310) 二氧化硅多孔晶体的制造方法
(835217-0309) 全硅化外基极晶体管
(835217-0308) 高迁移率块体硅p沟道场效应晶体管
(835217-0307) 实现晶体硅太阳能电池选择性发射区的方法
(835217-0306) 多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
(835217-0305) 高电压绝缘体上硅晶体管及其制造方法
(835217-0304) 含侧链型有机硅烷化合物，薄膜晶体管及其制造方法
(835217-0303) 一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
(835217-0302) 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
(835217-0301) 多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
(835217-0300) 包括掩埋源电极的沟槽金属氧化物硅场效应晶体管及其制造方法
(835217-0299) 用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
(835217-0298) 薄硅单扩散场效应晶体管及其制造方法
(835217-0297) 多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
(835217-0296) 低硅高钙单晶体电熔镁砂熔炼方法
(835217-0295) 硅晶体生长炉用高纯固化炭毡制造方法
(835217-0294) 具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法
(835217-0293) 使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
(835217-0292) 利用单晶圆腔室沉积纳米晶体硅
(835217-0291) 制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
(835217-0290) 制作应变硅晶体管的方法
(835217-0289) 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法
(835217-0288) 叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
(835217-0287) 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
(835217-0286) 制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
(835217-0285) 多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
(835217-0284) 使用应变硅用于集成pmos和nmos晶体管的单掩模设计方法和结构
(835217-0283) 用于应变硅mos晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
(835217-0282) 使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构
(835217-0281) 通过注氧进行量子**的硅基单电子晶体管及制作方法
(835217-0280) 一种新结构的晶体硅太阳能电池
(835217-0279) 制作应变硅晶体管的方法
(835217-0278) 应变硅cmos晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区
(835217-0277) 使用应变硅晶体管栅极图案化用硬掩模的方法和结构
(835217-0276) 用于形成用于应变硅mos晶体管的第二隔片的方法和结构
(835217-0275) 薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
(835217-0274) 增强铈搀杂正硅酸钇镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体
(835217-0273) 增强铈搀杂正硅酸镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体
(835217-0272) 硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构
(835217-0271) 半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(soi)场效应晶体管的方法
(835217-0270) 用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法
(835217-0269) 形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
(835217-0268) 高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
(835217-0267) 薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
(835217-0266) 具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
(835217-0265) 多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
(835217-0264) 无色碳化硅晶体的生长
(835217-0263) 沟道区中具有硅和碳层的晶体管
(835217-0262) 掺镱焦硅酸镥激光晶体及其制备方法
(835217-0261) 用于通过减少自对准硅化物界面电阻改善晶体管性能的方法
(835217-0260) 纳米级晶体硅粉末
(835217-0259) 一种可变晶格常数二氧化硅胶质晶体的制备方法
(835217-0258) 脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构
(835217-0257) 在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长
(835217-0256) 覆晶球格阵列封装构造中具有晶体配向(100)的应变硅晶圆
(835217-0255) 降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
(835217-0254) 多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
(835217-0253) 形成具有集成的金属硅化物栅电极的晶体管的方法
(835217-0252) 镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法
(835217-0251) 二氧化硅晶体表面复合增透膜的镀制方法
(835217-0250) 具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
(835217-0249) 悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835217-0248) 通过在含氢气氛中的升华生长减少碳化硅晶体中的氮含量
(835217-0247) 用于化学机械研磨平面化的双硅层鳍状场效应晶体管
(835217-0246) 具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
(835217-0245) 碳化硅晶体的生长系统
(835217-0244) 薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
(835217-0243) 低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
(835217-0242) 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
(835217-0241) 具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺
(835217-0240) 形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
(835217-0239) 具有应变的硅沟道的场效应晶体管及其制造方法
(835217-0238) 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
(835217-0237) 多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法
(835217-0236) 激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
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(835217-0234) 功能有机薄膜,有机薄膜晶体管,含π电子共轭分子的硅化合物,它们的形成方法
(835217-0233) 平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法
(835217-0232) 多晶硅薄膜晶体管的形成方法
(835217-0231) 多晶硅薄膜晶体管制造方法
(835217-0230) 多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置
(835217-0229) 掺镱硅酸钇镥激光晶体及其制备方法
(835217-0228) 通过控制熔-固界面形状生长硅晶体的方法和装置
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(835217-0226) 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
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