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| 功率多晶硅专题资料光盘 |
| 时间:2009-5-23,点击:0 |
光盘编号：837292 《功率多晶硅专题资料光盘》包括专利技术全文资料59份。整套光盘收费230元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
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(837292-0055) 一种深沟槽大功率p型mos器件
(837292-0054) 一种深沟槽大功率n型mos器件
(837292-0053) 一种复合栅、栅源自隔离vdmos、igbt功率器件
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(837292-0045) 提高沟槽型双层栅功率mos两多晶硅间击穿电压的方法
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(837292-0041) 一种功率半导体器件
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(837292-0039) 使用智能功率技术的集成电路
(837292-0038) 采用psg掺杂技术的vdmos、igbt功率器件及其制造工艺
(837292-0037) 一种复合栅、栅源自隔离vdmos、igbt功率器件及其制造工艺
(837292-0036) 提高大功率mos管源漏击穿的方法
(837292-0035) 多晶硅esd结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
(837292-0034) 多晶硅/体硅esd结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
(837292-0033) 可降低导通电阻的功率半导体结构及其制造方法
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(837292-0031) 一种深沟槽大功率mos器件及其制造方法
(837292-0030) 具埋入式栅极总线的功率半导体器件及其制法
(837292-0029) 功率放大器及其形成方法
(837292-0028) 深沟槽型功率mos管静电保护结构制造方法
(837292-0027) 具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管
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(837292-0018) 低功率快擦写存储单元及方法
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(837292-0011) 一种深沟槽大功率mos器件及其制造方法
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(837292-0001) 一种功率型多晶硅发射极晶体管
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