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| 材料晶片专题资料光盘 |
| 时间:2009-5-21,点击:0 |
光盘编号:837200 《材料晶片专题资料光盘》包括专利技术全文资料104份。整套光盘收费230元,全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式: (1)在线订购>>点击此处 客服qq: 78865105 (2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751(周一至周六18:00以后,周日及法定节假日全天) (3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称 (837200-0104) 材料内部应力超声波检测装置 (837200-0103) 一种制作pdp荧光材料用超声波雾化装置 (837200-0102) 包括对低介电常数材料进行非原位背侧聚合物去除的等离子体电介质蚀刻处理 (837200-0101) 用于去除半导体器件中的铝终端衬垫材料的方法和结构 (837200-0100) 使用纳米结构柔性层和hvpe制造高质量化合物半导体材料的生长方法 (837200-0099) 用于铝酸锂晶体材料的高精密平坦化方法 (837200-0098) 电子器件材料的制造方法 (837200-0097) 用于步骤ⅱ的铜衬里和其他相关材料的化学机械抛光组合物及其使用方法 (837200-0096) 复合材料和晶片保持部件及其制造方法 (837200-0095) 晶片表面材料层的处理系统和方法 (837200-0094) 变容二极管用硅外延材料制备方法 (837200-0093) 将介电材料改性的方法 (837200-0092) 通过退火转变相变材料的状态 (837200-0091) 由硅材料制成的等离子室阴极和外环 (837200-0090) 用来混合加工材料的方法和装置 (837200-0089) 复合材料固化过程的超声波实时监测方法及系统 (837200-0088) 聚合物材料的沉积及用于其的前体 (837200-0087) 检测由半导体材料构成的锭件中机械缺陷的方法和设备 (837200-0086) 低容层积型晶片变阻器及其所使用的过电压保护材料 (837200-0085) 一种离子注入厚膜soi晶片材料的制备方法 (837200-0084) 用于分割材料的装置和方法 (837200-0083) 塑料材料 (837200-0082) 用于测量导电薄片材料中迁移率和薄层电荷密度的装置和处理系统 (837200-0081) 制造化合物材料的方法和选择晶片的方法 (837200-0080) 复合材料晶片的制造方法和旧施体基材的再循环方法 (837200-0079) 使用防翘曲绝缘材料的层叠芯片封装及其制造方法 (837200-0078) 多孔材料电池及其制法 (837200-0077) 制备高质量化合物半导体材料的沉积技术 (837200-0076) 应变绝缘体上半导体材料及制造方法 (837200-0075) 用于半导体材料处理系统的一体化机架 (837200-0074) 一种碲化铋基半导体制冷材料中回收碲的方法 (837200-0073) 用于分割由脆性材料制成的盘片尤其是晶片的方法和装置 (837200-0072) 低k介电材料的接合焊盘和用于制造半导体器件的方法 (837200-0071) 利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 (837200-0070) 用于半导体器件的使用预处理的材料原子层沉积的方法 (837200-0069) 薄膜材料微裂纹预制方法及其专用装置 (837200-0068) 由选自半导体材料的材料层形成的多层晶片的表面处理 (837200-0067) ⅱ-ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法 (837200-0066) 电子器件材料的制造方法 (837200-0065) 半导体硅材料水基切削液 (837200-0064) 用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法 (837200-0063) 由双面施予晶片生成半导体材料薄层的方法 (837200-0062) 聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法 (837200-0061) 化合物材料晶片的制造方法 (837200-0060) 利用密封石英玻璃管实现不同材料晶片键合的方法 (837200-0059) 用于减少半导体材料中杂质的装置和方法 (837200-0058) 带有电介质材料的滤波器微调封装屏蔽盒 (837200-0057) 利用x射线检查半导体材料的晶片的方法 (837200-0056) 纳米空气净化抑菌材料合成晶片在空气净化器中的应用方法 (837200-0055) 纳米贮氢材料贮氢量的测量方法 (837200-0054) 稳定材料层性质的方法 (837200-0053) 用于片状材料的无损测量和绘制分布图的方法和装置 (837200-0052) 半导体材料的膜或层、及制造该膜或层的方法 (837200-0051) 用于蚀刻有机低k材料的特殊化学工艺 (837200-0050) 适用于inn-gan外延生长的复合衬底材料及其制备方法 (837200-0049) 双极集成电路中硅材料质量的检测方法 (837200-0048) 树脂封装方法及装置、半导体器件及其制造方法及树脂材料 (837200-0047) 用于从电子部件衬底去除残留材料的方法及其装置 (837200-0046) 一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法 (837200-0045) γ-lialo2/α-al2o3复合衬底材料的制备方法 (837200-0044) znal2o4/α-al2o3复合衬底材料的制备方法 (837200-0043) 用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺 (837200-0042) 反应焊接材料 (837200-0041) 转移应变半导体材料层的方法 (837200-0040) 布线材料和使用该材料的布线板 (837200-0039) 在soi材料上制造不同厚度的垂直绝缘的元件的方法 (837200-0038) 用于激光标记半导体晶片、模具和元件的可喷射粘合剂材料 (837200-0037) 形成半导体材料晶片的方法及其结构 (837200-0036) ligao2/β-ga2o3复合衬底材料的制备方法 (837200-0035) 复合材料和晶片保持部件及其制造方法 (837200-0034) 中红外微芯片激光器:带有可饱和吸收材料的zns:cr2+激光器 (837200-0033) 半导体材料处理系统 (837200-0032) 用于半导体材料处理系统的一体化机架 (837200-0031) 一种单晶材料的抗弯曲强度机械测量装置 (837200-0030) 用于电子材料的清洗液和清洗方法 (837200-0029) 一种低介电材料抛光液 (837200-0028) 化合物材料晶片的制造方法 (837200-0027) 一种制备si、cu双掺n型高阻gaas单晶材料的方法 (837200-0026) 用于从半导体晶片去除材料的方法及装置 (837200-0025) 介电材料bcb的移除方法 (837200-0024) 用于处理介电材料的设备和方法 (837200-0023) 利用挤压的承载掺杂剂材料制备太阳能电池 (837200-0022) 材料沉积方法及设备 (837200-0021) 布线材料和使用该材料的布线板 (837200-0020) 用于将材料选择性沉积到表面和衬底上的方法和装置 (837200-0019) 键合由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片的方法 (837200-0018) 激光加工方法、半导体材料基板的切断方法 (837200-0017) 原位聚合制备聚烯烃/无机组份纳米复合材料的方法 (837200-0016) 硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法 (837200-0015) 用于材料输送系统的分布式控制系统的体系结构和方法 (837200-0014) 使半导体晶片适于使用液态导电材料的方法 (837200-0013) 一种新型电磁波吸收材料及其制造方法 (837200-0012) 微型压敏电阻芯片材料及其制造方法 (837200-0011) 在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置 (837200-0010) 半导体材料的制造方法及所用设备 (837200-0009) 用来混合加工材料的方法和装置 (837200-0008) 晶片背面的晶粒黏接材料的预先使用方法及封装组件 (837200-0007) 用来研磨晶片材料的化学-机械研磨机,以及装在该机器上的研磨剂输送设备 (837200-0006) 应用有机材料制作有机发光装置 (837200-0005) 裂开材料晶片各层的工艺 (837200-0004) 掺铈铝酸镥铝酸钇的复合闪烁晶体材料及其制备方法 (837200-0003) 具有压敏电阻材料晶片的过电压保护装置 (837200-0002) 一种修复低介电常数材料层的方法 (837200-0001) 一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法
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