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光盘编号：837195 《栅存储专题资料光盘》包括专利技术全文资料234份。整套光盘收费260元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
(837195-0234) 具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元
(837195-0233) 具有扩大的控制栅极结构的快闪存储器装置及其制造方法
(837195-0232) 具有存储层的背栅半导体器件
(837195-0231) 侧壁浮栅复位eprom存储结构及其制造方法
(837195-0230) 具有凹口浮动栅以及分级源区的可缩放的快闪eeprom存储元件及其制造方法
(837195-0229) 双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法
(837195-0228) 浮置栅极层与非易失性存储器的制造方法
(837195-0227) 栅极结构、快闪存储器及其制作方法
(837195-0226) 栅极结构及非挥发性半导体存储器的制作方法
(837195-0225) 对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作
(837195-0224) 用于打印头的栅耦合电可编程只读存储器单元
(837195-0223) 多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法
(837195-0222) 多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法
(837195-0221) 为成像器中的电子稳定提供像素存储栅极电荷感测的方法及设备
(837195-0220) 具有浮栅的非易失性动态随机存取存储器及其操作方法
(837195-0219) finfet中的**栅极存储器单元
(837195-0218) 具有共存逻辑器件的背栅极控制静态随机存取存储器
(837195-0217) 一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法
(837195-0216) 利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法
(837195-0215) 一种可用于存储单元的多层量子点结构浮置栅
(837195-0214) 与非栅型非易失性存储器及其制造方法
(837195-0213) 在四路共享像素上提供两路共享存储栅极的方法和装置
(837195-0212) 在四路共享像素上提供两路共享存储栅极的方法和装置
(837195-0211) 具有嵌入式浮动栅极的快闪存储器
(837195-0210) 一种纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法
(837195-0209) 形成快闪存储器件的栅极图案的方法
(837195-0208) 双栅极非易失性存储器及其制造方法
(837195-0207) 用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法
(837195-0206) 基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法
(837195-0205) 分离栅极快闪存储装置及其制造方法
(837195-0204) 与非型快闪存储器选择栅的制造方法
(837195-0203) 浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法
(837195-0202) 浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法
(837195-0201) 制造有较大栅极耦合比例的浮动栅极存储元件的装置及方法
(837195-0200) 一种**槽栅快闪存储器及其制备方法
(837195-0199) 带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件
(837195-0198) 存储器件分离栅极的制造方法
(837195-0197) 闪速存储器件的栅极的形成方法
(837195-0196) 浮动栅极之间的耦合效应减小的nand电可擦除可编程只读存储器
(837195-0195) 在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构
(837195-0194) 具有相对于鳍以一角度延伸的控制栅极的非易失存储器
(837195-0193) 带自对准栅极的快闪存储单元的制造方法
(837195-0192) 具有凹入型控制栅电极的半导体存储器及其制造方法
(837195-0191) 具有埋入衬底的栅的动态随机存取存储器晶体管及其形成方法
(837195-0190) 图形数据的高速缓冲存储器有效光栅化
(837195-0189) 单栅非易失性快闪存储单元
(837195-0188) 制造存储栅像素设计的方法
(837195-0187) 分离栅极式存储单元及其形成方法
(837195-0186) 具有l形浮置栅电极的非易失性存储器件及其制造方法
(837195-0185) 基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法
(837195-0184) 带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个mos晶体管的半导体存储设备
(837195-0183) 栅控二极管非易失性存储器单元的操作方法
(837195-0182) 非挥发性存储器与浮置栅极层的制造方法
(837195-0181) 堆叠栅-源一侧电子注入闪存储器及其制造方法
(837195-0180) 光栅打印数据存储与数据加密方法
(837195-0179) 浮动栅极存储单元
(837195-0178) 非易失性浮置栅极存储单元及其制造方法
(837195-0177) 双栅极动态随机存取存储器及其制造方法
(837195-0176) 栅控二极管非易失性存储器制造方法
(837195-0175) 栅控二极管非易失性存储器单元阵列
(837195-0174) 栅控二极管非易失性存储器单元
(837195-0173) 形成具有镶嵌式浮置栅极的非挥发性存储器的方法
(837195-0172) 具有凹陷浮动栅的闪速存储器器件及其制造方法
(837195-0171) 具有浮置栅极的非易失性存储器件以及形成其的相关方法
(837195-0170) 具有隔离区上擦除栅的非易失性存储器
(837195-0169) 分离式栅极快闪存储单元及其形成方法
(837195-0168) 具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管
(837195-0167) 具多个浮置栅及一沟道连接区域的非挥发性存储器
(837195-0166) 双栅多位半导体存储器
(837195-0165) 具有双栅finfets的存储器及制造方法
(837195-0164) 使用高k材料与栅极间编程的非易失性存储单元
(837195-0163) 使用由栅极引起的接面泄漏电流的快闪存储器编程
(837195-0162) **栅型非易失性存储器器件及其制造方法
(837195-0161) 于浮动栅极存储单元中用于低vss电阻及减少漏极引发能障降低的结构及方法
(837195-0160) 非对称浮动栅极与非型快闪存储器
(837195-0159) 分离栅极快闪存储器及其制造方法
(837195-0158) 单栅电极对应一对沟道区的半导体器件和随机存取存储器
(837195-0157) 用于垂直分离栅极nrom存储器的装置和方法
(837195-0156) 采用栅控电荷存储的成像
(837195-0155) 基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器
(837195-0154) 空气隧道浮栅存储单元及其制造方法
(837195-0153) 内存装置以及使用正栅极应力以回复过度擦除存储单元的方法
(837195-0152) 形成闪存存储器件的高电压区域的栅极氧化膜的方法
(837195-0151) 具有u-形浮栅的快闪存储器的制造方法
(837195-0150) 栅极与具有此种栅极的快闪存储器的形成方法
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(837195-0148) **栅极存储单元及制造**栅极存储单元阵列的方法
(837195-0147) **栅极存储单元及制造其阵列的方法
(837195-0146) 包括独立可控的栅电极的两位非易失性存储器件及其制造方法
(837195-0145) 半导体装置与浮动栅极存储器
(837195-0144) 具有多个组件浮置栅极的电可擦可编程只读存储器
(837195-0143) 具有包括半导体纳米晶体的浮栅的非易失存储器件
(837195-0142) 具有可选金属栅极材料的非易失性半导体存储器件
(837195-0141) 形成具有浮栅的非易失性存储器件的方法
(837195-0140) 单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法
(837195-0139) 多阶分离栅极快闪存储器
(837195-0138) 闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法
(837195-0137) 非易失性存储装置中形成栅电极的方法
(837195-0136) 分离式栅极快闪存储器及其制造方法
(837195-0135) 浮动栅极非易失性存储器及其制作方法
(837195-0134) 浮栅非易失性存储器
(837195-0133) 改进负偏压分配的浮置栅极非易失性存储器结构
(837195-0132) 垂直分离栅非易失性存储单元及其制造方法
(837195-0131) 具有密集成组的存储栅的与非闪速存储器及制造工艺
(837195-0130) **栅极非易失存储器单元及其形成方法
(837195-0129) 电荷捕捉非易失性存储器及其逐个栅极擦除的方法
(837195-0128) 每一存储单元电荷存储元件具有双重控制栅极的闪速存储单元阵列
(837195-0127) 半导体存储器装置的栅结构
(837195-0126) 具有氮化物电荷存储栅的与非型快闪存储器及其制造方法
(837195-0125) 纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器
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(837195-0110) 非易失浮栅存储单元及其阵列以及其形成方法
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(837195-0108) 具有独立可控的控制栅的双向读取/编程非易失性浮栅存储单元及其阵列和形成方法
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(837195-0105) 包括每个有浮动栅和控制栅极的mos晶体管的半导体存储器
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(837195-0055) 分离式栅极存储单元与半导体装置及其形成方法
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