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| 介电薄膜专题资料光盘 |
| 时间:2009-5-16,点击:0 |
光盘编号:836769 《介电薄膜专题资料光盘》包括专利技术全文资料146份。整套光盘收费230元,全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式: (1)在线订购>>点击此处 客服qq: 78865105 (2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751(周一至周六18:00以后,周日及法定节假日全天) (3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称 (836769-0146) 超小型抑制电源电磁干扰跨线金属化薄膜介质电容器 (836769-0145) 耐大电流冲击金属化聚酯薄膜介质中、高压固定电容器 (836769-0144) 耐大电流冲击金属化聚丙烯薄膜介质中、高压固定电容器 (836769-0143) 铁电薄膜材料介电性能多频率自动测试装置 (836769-0142) 薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质 (836769-0141) 有机染料敏化介孔tio2薄膜基的太阳能电池及其制备方法 (836769-0140) 具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法 (836769-0139) 具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法 (836769-0138) 一种高介电常数三嗪类纳米有机薄膜的制备方法 (836769-0137) 高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用 (836769-0136) 均匀纳米孔sio2低介电薄膜的制备方法 (836769-0135) 高电介质薄膜的改性方法和半导体装置 (836769-0134) 低介电常数薄膜的灰化/蚀刻损伤的抵抗性以及整体稳定性的改进方法 (836769-0133) 具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法 (836769-0132) 一种含nb复合金属氧化物介电陶瓷薄膜及其制备方法 (836769-0131) 双介质阻挡放电处理薄膜材料表面的系统 (836769-0130) 一种hfo2高介电常数薄膜电容器及其制备方法 (836769-0129) 作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐 (836769-0128) 一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法 (836769-0127) 用于电容器具有共烧制电极的薄膜电介质及其制造方法 (836769-0126) 介电层与薄膜晶体管 (836769-0125) 一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法 (836769-0124) 低介电常数的介电薄膜的形成方法 (836769-0123) 用于形成多组分介电薄膜的直接液体注入系统和方法 (836769-0122) 使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法 (836769-0121) 介电薄膜batio3掺杂金属离子的制备方法及装置 (836769-0120) 薄膜电容器及其形成方法、以及计算机可读取的存储介质 (836769-0119) 减少多孔介电薄膜清洗期间损伤的处理方法 (836769-0118) 有机金属化学气相沉积法用溶液原料及使用该原料制作的复合氧化物类电介质薄膜 (836769-0117) 合成高介电常数的聚酰亚胺/纳米钛酸钡复合薄膜的方法 (836769-0116) 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 (836769-0115) 一种介电常数可调的锌掺杂pst薄膜及其制备方法 (836769-0114) 形成纳米多孔介电薄膜的方法 (836769-0113) 具有改进的电介特性的薄膜电容器 (836769-0112) 一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法 (836769-0111) 低k介电薄膜的后处理 (836769-0110) 微波介电可调钛酸锶钡/铋锌铌复合薄膜及其制备方法 (836769-0109) 薄膜介质可变电容器 (836769-0108) 在制程中测量低介电常数的薄膜性质 (836769-0107) 高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法 (836769-0106) 金属氧化物介电薄膜的形成方法及半导体存储装置的制造方法 (836769-0105) 用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法 (836769-0104) 介质薄膜微波复介电常数的测量装置 (836769-0103) bi类电介质薄膜形成用涂布液以及bi类电介质薄膜 (836769-0102) 制备具有低介电常数的介孔薄膜的方法 (836769-0101) 高介电常数栅介质pralxoy薄膜 (836769-0100) 硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 (836769-0099) 电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法 (836769-0098) 超低介电常数的sicoh薄膜及其制造方法 (836769-0097) 高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜叠层电容器及薄膜电容元件的制造方法 (836769-0096) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数的绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器、电路和电子仪器 (836769-0095) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法 (836769-0094) 高介电常数栅介质tio2/al2o3堆栈结构薄膜 (836769-0093) 一种低介电常数纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法 (836769-0092) 电介质薄膜、薄膜电容元件及其制造方法 (836769-0091) 一种检测铁电薄膜微波介电特性的方法和装置 (836769-0090) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法 (836769-0089) 超低介电常数薄膜及其制造方法 (836769-0088) 薄膜晶体管的电路、设计方法和程序、设计程序记录介质 (836769-0087) 一种介电滤波薄膜材料及其制备方法 (836769-0086) 一种高性能(1-x)batio3-xnanbo3微波介电薄膜及其制备 (836769-0085) 低介电常数薄膜及其制造方法 (836769-0084) 沉积高介电常数薄膜的设备 (836769-0083) 低k介电薄膜的制法 (836769-0082) 具有ru合金反平行间隔层的薄膜介质和磁致电阻传感器 (836769-0081) 铁电薄膜材料介电性能多频率自动测试方法及装置 (836769-0080) 强电介体薄膜及其制造方法、强电介体存储器、压电元件 (836769-0079) 电介质涂覆的电极、等离子体放电处理装置和形成薄膜法 (836769-0078) 通过ild柱结构性加强多孔隙、低k介电薄膜 (836769-0077) 强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件 (836769-0076) 强电介体薄膜的制造方法 (836769-0075) 用于制备含有新型成孔材料之多孔电介质薄膜的组合物 (836769-0074) 机械加固的高度多孔低介电常数薄膜 (836769-0073) 用于窄隙填充用途的介电薄膜 (836769-0072) 形成光敏电介体的组合物,以及利用该组合物的贴花薄膜、电介体和电子元件 (836769-0071) 用于制备多孔介电薄膜的包含糖类成孔剂的组合物 (836769-0070) 氧化物薄膜、强电介体薄膜的制造方法、强电介体元件 (836769-0069) 装有包括多孔结构电介质薄膜的半导体器件及其制造方法 (836769-0068) 使用低介电常数绝缘层的薄膜晶体管衬底及其制造方法 (836769-0067) 电介质薄膜元件及使用它的执行元件、喷墨头和喷墨记录装置 (836769-0066) 高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法 (836769-0065) 高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法 (836769-0064) 具有高介电常数的氧化材料薄膜 (836769-0063) 金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法及半导体装置 (836769-0062) 低介电常数多孔氧化硅薄膜及其制备方法 (836769-0061) 非晶电介质薄膜及其制造方法 (836769-0060) 笼型多聚物制孔超低介电氧化硅薄膜及其制备方法 (836769-0059) 排序二相介电薄膜及含有该膜的半导体器件 (836769-0058) 介电体薄膜元件、压电致动器、液体排出头及其制造方法 (836769-0057) 减少多孔介电薄膜清洗期间损伤的处理方法 (836769-0056) 低电介绝缘层的汽相淀积方法、利用该低电介绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法 (836769-0055) 低介电常数层间介质薄膜及其形成方法 (836769-0054) 具有改进的栅电介质表面的有机薄膜晶体管 (836769-0053) 形成介电薄膜的方法 (836769-0052) 一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法 (836769-0051) 多官能环状硅氧烷化合物和由该化合物制备的硅氧烷基聚合物和用该聚合物制备介电薄膜的方法 (836769-0050) 电容器用薄膜电介体及其制备方法 (836769-0049) 基于纳米介电薄膜的微机械电容式微波开关 (836769-0048) 高k介电薄膜及其制造方法 (836769-0047) 用于低介电薄膜的机械强化添加剂 (836769-0046) 低介电常数绝缘介质氧化硅薄膜及其制备方法 (836769-0045) 制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法 (836769-0044) 超薄型四联薄膜介质可变电容器 (836769-0043) 具有介质反射镜和纳米复合薄膜阻光层的电选址液晶光阀 (836769-0042) 金属化聚丙烯薄膜介质电容器 (836769-0041) cym1-1型薄膜介质预调电容器 (836769-0040) 一种纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器及其制备方法 (836769-0039) 铁电薄膜的制造方法以及铁电记录介质的制造方法 (836769-0038) 基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法 (836769-0037) 一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法 (836769-0036) 碳纳米管/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法 (836769-0035) 聚(亚芳基醚)聚合物作为栅极电介质和钝化层的薄膜晶体管 (836769-0034) 增加等离子体增强化学气相沉积电介质薄膜压应力的方法 (836769-0033) 一种微波介电可调的钛酸锶铋薄膜的制备方法 (836769-0032) 形成高介电常数薄膜的方法以及形成半导体器件的方法 (836769-0031) 形成介电薄膜的方法和用于实施所述方法的新的前体 (836769-0030) 介电薄膜用组合物、使用其的金属氧化物介电薄膜及制法 (836769-0029) 降低介电薄膜介电常数的方法与制作低介电孔隙薄膜的方法 (836769-0028) 用于低介电常数层间介质薄膜的有机硅前体 (836769-0027) 交联性低介电性高分子材料及使用它的薄膜、基板和电子部件 (836769-0026) 电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺 (836769-0025) 高介电常数的金属氧化物薄膜 (836769-0024) 电介质层形成用树脂组合物和电介质层形成用薄膜 (836769-0023) 强电介质薄膜形成用溶液及强电介质薄膜形成方法 (836769-0022) 掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及制备和应用 (836769-0021) 介质表面上镀制强附着力电极薄膜的方法 (836769-0020) 低k介电无机/有机复合薄膜及其制造方法 (836769-0019) 采用ta2o5薄膜作为电介质膜的ta2o5电容器的制造方法 (836769-0018) 低介电常数绝缘介质α-sicof薄膜及其制备方法 (836769-0017) 内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜及应用 (836769-0016) bi层状结构强电介质薄膜的制造方法 (836769-0015) 强电介质薄膜及其制造方法 (836769-0014) 用于检验介电薄膜可靠性的方法 (836769-0013) 无机/有机介电薄膜的沉积系统及方法 (836769-0012) 半导体基板上形成前金属电介质薄膜的方法 (836769-0011) 应用于mos场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法 (836769-0010) 应用于mos场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法 (836769-0009) 形成介电薄膜的方法 (836769-0008) 氧化介电薄膜的气相生长方法 (836769-0007) 强化薄膜电介质多层粘贴塑胶眼镜片及薄膜强化方法 (836769-0006) 用于隔离多孔低k介电薄膜的结构和方法 (836769-0005) 薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光学膜、介电体覆盖电极及等离子体放电处理装置 (836769-0004) 改善多孔性低介电薄膜吸水性的方法 (836769-0003) 低介电常数材料薄膜的制造方法 (836769-0002) 用于提高介电薄膜的系统和方法 (836769-0001) 金属箔上的锆钛酸铅介电薄膜复合材料
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