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光盘编号：835254 《半导体晶体管专题资料光盘》包括专利技术全文资料505份。整套光盘收费410元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
(835254-0506) 金属氧化物半导体晶体管元件
(835254-0505) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0504) 电压控制晶体管和横向扩散金属氧化物半导体晶体管
(835254-0503) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0502) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0501) 具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0500) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0499) 侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管
(835254-0498) 有受防护发射极-基极结的双极结晶体管的半导体器件
(835254-0497) 使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器
(835254-0496) 浮体晶体管结构、半导体结构及形成半导体结构的方法
(835254-0495) 低栅极感生的漏极泄漏的金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制备方法
(835254-0494) 薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质
(835254-0493) 半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0492) 场效应晶体管、半导体芯片及半导体装置
(835254-0491) 金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法
(835254-0490) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
(835254-0489) 用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
(835254-0488) 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0487) 硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法
(835254-0486) 高、低压侧n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装
(835254-0485) 保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法
(835254-0484) 半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法
(835254-0483) 等离子体cvd装置、微晶半导体层、薄膜晶体管的制造
(835254-0482) p沟道mos晶体管和半导体集成电路装置
(835254-0481) 高压金属氧化物半导体晶体管
(835254-0480) 具有扩展的栅极顶部的半导体晶体管
(835254-0479) 半导体结构、双极型晶体管布置及制造半导体器件的方法
(835254-0478) 互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(835254-0477) 制备半导体活性层、薄膜晶体管的方法及该薄膜晶体管
(835254-0476) 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0475) 非对称金属氧化物半导体晶体管及制造方法及用其的元件
(835254-0474) mos晶体管的接触结构、毗连的接触结构及半导体sram单元
(835254-0473) 薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法
(835254-0472) 氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法
(835254-0471) 高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0470) 半导体装置的晶体管及其制造方法
(835254-0469) 制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法
(835254-0468) 具有soi结构的晶体管及电容器且非易失地存储数据的半导体装置
(835254-0467) 一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0466) 半导体晶体管的制造方法
(835254-0465) 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
(835254-0464) 制造金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0463) 宽能带隙半导体横向沟槽场效应晶体管及制造方法
(835254-0462) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0461) 具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构
(835254-0460) 半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管
(835254-0459) 半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管
(835254-0458) 半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管、有源矩阵驱动显示面板
(835254-0457) 一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法
(835254-0456) 半导体设备、薄膜晶体管基板以及显示设备及其制备方法
(835254-0455) 在半导体/电介质界面处具有晶体区域的非晶氧化物场效应晶体管
(835254-0454) 金属氧化物半导体晶体管及其形成方法
(835254-0453) 藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术
(835254-0452) 具有y型金属栅极的金属氧化物半导体晶体管及其工艺
(835254-0451) 大功率金属半导体场效应发光晶体管
(835254-0450) 互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0449) 制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法
(835254-0448) 凹入式栅极金属氧化物半导体晶体管装置及其制作方法
(835254-0447) 复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
(835254-0446) 制作半导体晶体管元件的方法
(835254-0445) 金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
(835254-0444) 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法
(835254-0443) 半导体纳米线晶体管
(835254-0442) 有机半导体材料和有机场效应晶体管
(835254-0441) 应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(835254-0440) 包括含铟和锌的氧化物半导体材料的沟道的场效应晶体管
(835254-0439) 金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管
(835254-0438) 互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(835254-0437) 制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0436) 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0435) 高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)中的栅极接触与导路
(835254-0434) 互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
(835254-0433) 双边扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(835254-0432) 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
(835254-0431) 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
(835254-0430) 金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法与改善方法
(835254-0429) 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
(835254-0428) 有机场效应晶体管及包含其的半导体装置
(835254-0427) 晶体管开关的布局方案和方法、半导体器件和方法
(835254-0426) 具有被包围通道晶体管的半导体器件
(835254-0425) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0424) 薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法
(835254-0423) 使用单晶体管的高密度半导体存储单元和存储器陈列
(835254-0422) 一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法
(835254-0421) 用于薄膜晶体管的n型半导体材料
(835254-0420) 用于薄膜晶体管的n型半导体材料
(835254-0419) 具有有机薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
(835254-0418) 金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路及其制造方法
(835254-0417) 包括具有可调背栅电势的esd保护场效应晶体管的半导体器件
(835254-0416) 自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法
(835254-0415) 形成金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0414) 金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(835254-0413) 具有模拟晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0412) 一种基于半导体纳米材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
(835254-0411) 薄膜晶体管和平面显示装置的半导体结构的制作方法
(835254-0410) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0409) 具有凹陷通道晶体管的半导体器件
(835254-0408) 具有鳍形通道晶体管的半导体器件
(835254-0407) 可变光伸缩hid氙气灯半导体晶体管智能控制线组
(835254-0406) 有机半导体元件的接面结构及有机晶体管及其制造方法
(835254-0405) 制造场效应晶体管的方法以及半导体结构
(835254-0404) 晶体管、像素电极基板、电光装置、电子装置和半导体元件的制造方法
(835254-0403) 半导体结构及n型金属氧化物半导体晶体管的形成方法
(835254-0402) 由低电压晶体管实现的用于半导体存储器的电平转换器
(835254-0401) 具有半导体特性多阳离子氧化物通道的薄膜晶体管及制造方法
(835254-0400) 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0399) 半导体晶体管元件及其制作方法
(835254-0398) 带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个mos晶体管的半导体存储设备
(835254-0397) 源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
(835254-0396) 三维槽栅金属半导体场效应晶体管
(835254-0395) 半导体异质结及其发光晶体管
(835254-0394) 薄膜晶体管及半导体元件的制作方法
(835254-0393) 金氧半导体晶体管及其间的自我对准接触以及其制造方法
(835254-0392) 双场板金属半导体场效应晶体管及其形成方法
(835254-0391) 有凹进箝位二极管的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0390) 390 对互补金属氧化物半导体集成电路的nmos和pmos晶体管使用不同栅电介质
(835254-0389) a01">
(835254-0388) 具有不同材料结构元件的半导体晶体管及其形成方法
(835254-0387) 半导体器件的晶体管及其制造方法
(835254-0386) 窄宽度金属氧化物半导体晶体管
(835254-0385) 制造半导体器件的鳍式场效应晶体管的方法
(835254-0384) 半导体器件的晶体管的制造方法
(835254-0383) 超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
(835254-0382) 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0381) 制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0380) 横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0379) 有机半导体薄膜晶体管及其制造方法
(835254-0378) 互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管及具有其的显示装置
(835254-0377) 结合互补金属氧化物半导体集成电路的nmos和pmos晶体管使用不同的栅介质
(835254-0376) 半导体结构及其形成方法、横向扩散p型金氧半晶体管
(835254-0375) 制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0374) 场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法
(835254-0373) 栅极、包含此栅极的金属氧化物半导体晶体管及制造方法
(835254-0372) 具有多个mos晶体管的半导体存储器件及其控制方法
(835254-0371) 半导体结构及制造鳍式场效应晶体管器件的方法
(835254-0370) 金属氧化物半导体晶体管元件
(835254-0369) 具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法
(835254-0368) 包括具有非对称结构的场效应晶体管的半导体器件和制造该器件的方法
(835254-0367) 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0366) 电机驱动电路的功率晶体管保护电路，电机驱动电路和半导体器件
(835254-0365) 超高压金属氧化物半导体晶体管元件
(835254-0364) 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
(835254-0363) 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0362) 薄膜晶体管、半导体器件、显示器、结晶方法和薄膜晶体管的制备方法
(835254-0361) 金属氧化物半导体晶体管单元及半导体装置
(835254-0360) 高密度混合金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件
(835254-0359) 自动选取金属氧化物半导体场效应晶体管的系统及方法
(835254-0358) 有机半导体材料和有机半导体元件以及场效应晶体管
(835254-0357) 晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置
(835254-0356) 半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(soi)场效应晶体管的方法
(835254-0355) 薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、氧化膜的改性方法、氧化膜的形成方法、半导体装置、半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置
(835254-0354) 欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法与半导体装置
(835254-0353) 互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器及其制造方法
(835254-0352) 具有mos晶体管的半导体存储单元阵列及其制造方法
(835254-0351) 包括半导体纳米管的垂直场效应晶体管
(835254-0350) 具有薄膜晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0349) 互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法
(835254-0348) 薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法
(835254-0347) 有机聚合物半导体化合物,形成薄膜的方法和薄膜晶体管
(835254-0346) 双极晶体管、具有该双极晶体管的半导体装置、及其制造方法
(835254-0345) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0344) 具有均化电容的高压和低导通电阻横向扩散金属氧化物半导体晶体管
(835254-0343) 半导体结构以及形成半导体晶体管的方法
(835254-0342) 低能量多沟道全耗尽量子井互补式金氧半导体场效晶体管
(835254-0341) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0340) 用于双栅极晶体管半导体制造方法的**性间隔件
(835254-0339) 可抑制寄生双极晶体管的高功率半导体装置
(835254-0338) 高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
(835254-0337) 高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
(835254-0336) 具有凹沟道结构单元晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0335) 用于分别优化在同一半导体芯片内的pmos和nmos晶体管的薄栅极电介质的方法以及由此制造的器件
(835254-0334) 只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
(835254-0333) 有机晶体管、制造半导体器件和有机晶体管的方法
(835254-0332) 具隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法
(835254-0331) 用于制造半导体装置的晶体管的方法
(835254-0330) 具有圆形形状的纳米线晶体管沟道的半导体器件及其制造方法
(835254-0329) 半导体元件,有机晶体管,发光器件,和电子器件
(835254-0328) 制作金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0327) 半导体器件中的场效应晶体管及其制造方法
(835254-0326) p沟道mos晶体管、半导体集成电路器件及其制造工艺
(835254-0325) 半导体装置形成用晶片及其制造方法、以及场效应晶体管
(835254-0324) 悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0323) 应变半导体cmos晶体管的制造结构和方法
(835254-0322) 含具有垂直栅电极的晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0321) 间隙壁的移除方法及金属氧化物半导体晶体管的制造方法
(835254-0320) 金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管
(835254-0319) 具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0318) 只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
(835254-0317) 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0316) 非对称凹陷栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制法
(835254-0315) 侧壁半导体晶体管及其制造方法
(835254-0314) 6f2存取晶体管配置和半导体存储器件
(835254-0313) 具有区域化应力结构的金属氧化物半导体的场效晶体管
(835254-0312) 掩模和半导体装置的制造方法以及薄膜晶体管阵列面板
(835254-0311) 包括场效应晶体管的半导体装置
(835254-0310) 利用反馈金属氧化物半导体场效应晶体管的抗单击扰动的静态随机存取存储器
(835254-0309) 金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管结合的瘦小外形封装
(835254-0308) 包括场效应晶体管的半导体器件及其操作方法
(835254-0307) 具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺
(835254-0306) 金属氧化物半导体晶体管电路
(835254-0305) 制作半导体晶体管元件的方法
(835254-0304) 采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法
(835254-0303) 半导体衬底和场效应晶体管以及它们的制造方法
(835254-0302) 具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0301) 具晶体管及导线的集成半导体电路
(835254-0300) 包括ldmos晶体管的半导体器件
(835254-0299) 包括多-沟道鳍形场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0298) 互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器
(835254-0297) 包括有机半导体层的场效应晶体管
(835254-0296) 三栅极与栅极环绕的金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法
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(835254-0294) 碳纳米管及定位方法、晶体管及制造方法、半导体器件
(835254-0293) 具有注入漏漂移区的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0292) 半导体器件的晶体管及其制造方法
(835254-0291) 具超浅接面漏极/源极延伸的半导体晶体管元件制作方法
(835254-0290) 半导体器件的制造方法、半导体器件和晶体管
(835254-0289) 具有双极横向功率晶体管的半导体部件
(835254-0288) 使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法
(835254-0287) 金属氧化物半导体晶体管和其制造方法
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(835254-0285) 互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法
(835254-0284) 在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法
(835254-0283) 场效应晶体管结构、其半导体存储单元及其制造方法
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(835254-0266) 有机半导体层的形成方法及有机薄膜晶体管
(835254-0265) 具有减小的栅极-源极/漏极电容的半导体晶体管
(835254-0264) 侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法
(835254-0263) 用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
(835254-0262) 具有有机聚合物栅极绝缘层的有机半导体晶体管的制造方法
(835254-0261) 半导体组件、累积模式多重闸晶体管及其制造方法
(835254-0260) 半导体薄膜、薄膜晶体管、及其制造方法和制造设备
(835254-0259) 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0258) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
(835254-0257) 一种半导体晶体管的制造方法及其产品
(835254-0256) 半导体集成电路、电子机器及晶体管的背栅电位控制方法
(835254-0255) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0254) 使用互补金属氧化物半导体工艺制造双极性晶体管的方法
(835254-0253) 包括每个有浮动栅和控制栅极的mos晶体管的半导体存储器
(835254-0252) 测量金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法
(835254-0251) 金氧半导体晶体管的制造方法
(835254-0250) 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法
(835254-0249) 侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法
(835254-0248) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
(835254-0247) 互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管组件的制造方法
(835254-0246) 薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法
(835254-0245) 金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路和方法
(835254-0244) 一种射频功率ldmos(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管
(835254-0243) 制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0242) 晶体管及其制造方法、电光装置、半导体器件及电子设备
(835254-0241) 在源和漏区下面具有缓冲区的金属氧化物半导体(mos)晶体管及其制造方法
(835254-0240) 存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法
(835254-0239) 新型有机半导体聚合物和使用该聚合物的有机薄膜晶体管
(835254-0238) 穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管
(835254-0237) 带有微波双极晶体管的半导体器件
(835254-0236) 功率晶体管及使用它的半导体集成电路
(835254-0235) 使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器
(835254-0234) 具形成于网区选择性晶体管之积体半导体内存
(835254-0233) 金属氧化物半导体场效应晶体管器件的制作方法
(835254-0232) 含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0231) 半导体器件的接触部分和包括该接触部分的用于显示器的薄膜晶体管阵列板
(835254-0230) 静电放电防护电路与相关的金属氧化半导体晶体管结构
(835254-0229) 借助晶体管从光电二极管读取信号的半导体器件
(835254-0228) 场电极金属半导体场效应晶体管
(835254-0227) 改善深次微米晶体管的电阻及漏电现象的半导体组件制造工艺
(835254-0226) 双扩散型金氧半导体晶体管的制造方法
(835254-0225) 半导体结构及形成具有缩小间距的晶体管的方法
(835254-0224) 新型金属半导体场效应晶体管(mesfet)器件及其制造工艺
(835254-0223) 双功函数互补金氧半导体晶体管及其制法
(835254-0222) 测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法
(835254-0221) 包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置
(835254-0220) 鳍形场效晶体管半导体存储器的字线和位线排列
(835254-0219) 有受防护发射极-基极结的双极结晶体管的半导体器件
(835254-0218) 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
(835254-0217) 金属氧化物半导体晶体管元件的制造方法
(835254-0216) 薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法
(835254-0215) 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
(835254-0214) 金属氧化物半导体晶体管的结构以及其形成方法
(835254-0213) 主链中含有喹喔啉环的用于有机薄膜晶体管的有机半导体聚合物
(835254-0212) 使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合物绝缘体、以及使用该化合物半导体和化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和储存器
(835254-0211) 以减少远处散射的栅极氧化制造高性能金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0210) 具有薄膜晶体管的半导体器件
(835254-0209) 具有薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
(835254-0208) 多重栅极晶体管与其形成方法及形成一半导体组件的方法
(835254-0207) 内置功率mos场效应晶体管和驱动电路的半导体装置
(835254-0206) 具有可伸缩二晶体管存储单元的非易失性半导体存储设备
(835254-0205) 具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读/存储器胞元的半导体装置
(835254-0204) 半导体装置的接触部分及其制造方法,包括接触部分的显示装置用薄膜晶体管阵列板及其制造方法
(835254-0203) 具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的源极和/或漏极的场效应晶体管
(835254-0202) 有机半导体晶体管元件
(835254-0201) 带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
(835254-0200) 非易失双晶体管半导体存储单元及其制造方法
(835254-0199) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
(835254-0198) 电性程序化的金属氧化半导体晶体管源极/漏极串联电阻
(835254-0197) 金属氧化半导体晶体管的制造方法与缩小栅极线宽的方法
(835254-0196) 形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法
(835254-0195) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(835254-0194) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0193) 晶体管和使用了晶体管的半导体存储器
(835254-0192) 半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
(835254-0191) 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法
(835254-0190) 半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
(835254-0189) 垂直金属氧化物半导体晶体管
(835254-0188) 互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及使用其的显示器件
(835254-0187) 具有三维沟道的金属氧化物半导体（mos）晶体管及其制造方法
(835254-0186) 纵向化合物半导体型场效应晶体管结构
(835254-0185) 具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0184) 场效应晶体管半导体器件
(835254-0183) 具有薄膜晶体管的半导体器件
(835254-0182) 具有薄膜晶体管的半导体器件
(835254-0181) 具有薄膜晶体管的半导体器件
(835254-0180) 具有薄膜晶体管的半导体器件
(835254-0179) 具有薄膜晶体管的半导体器件
(835254-0178) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法
(835254-0177) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0176) 浮式金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0175) 晶体管、有机半导体元件及它们的制造方法
(835254-0174) 晶体管及其制造方法、以及具有该晶体管的半导体装置
(835254-0173) 半导体晶体管器件及其制造方法
(835254-0172) 互补式金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
(835254-0171) 互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构
(835254-0170) 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
(835254-0169) 用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的**栅
(835254-0168) 制作应变硅沟道金属半导体晶体管的方法
(835254-0167) 具有edmos晶体管的半导体器件及其制备方法
(835254-0166) 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0165) 有机半导体膜的形成方法、有机半导体膜及有机薄膜晶体管
(835254-0164) 有机半导体材料薄膜的形成方法和有机薄膜晶体管的制造方法
(835254-0163) 使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
(835254-0162) ⅲ-ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管及其制备方法
(835254-0161) ⅲ-ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
(835254-0160) 利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0159) 通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法
(835254-0158) 包括场效应晶体管的半导体器件及其形成方法
(835254-0157) 半导体结构及制造多个鳍片场效应晶体管的方法
(835254-0156) 具有沟槽晶体管的半导体器件以及制造这种器件的方法
(835254-0155) 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
(835254-0154) 制作金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0153) 金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
(835254-0152) 高压应力薄膜与应变硅金属氧化物半导体晶体管及其制法
(835254-0151) 具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0150) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
(835254-0149) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
(835254-0148) 半导体器件结构及基于晶体管密度的应力层的形成方法
(835254-0147) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成
(835254-0146) 晶体管及半导体装置的制作方法
(835254-0145) 有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器
(835254-0144) 有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器
(835254-0143) 高耐压晶体管、其制造方法以及使用其的半导体器件
(835254-0142) 半导体装置及金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(835254-0141) 薄膜晶体管及其制造方法、和半导体装置
(835254-0140) 半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置
(835254-0139) 具有横向mos晶体管和齐纳二极管的半导体器件
(835254-0138) 制造半导体基片上晶体管元件之间连接的方法及半导体器件
(835254-0137) 互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
(835254-0136) 移除间隙壁的方法、金氧半导体晶体管元件及其制造方法
(835254-0135) 金属氧化物半导体晶体管控制
(835254-0134) 自旋金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0133) 层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包
(835254-0132) 薄膜晶体管及半导体器件
(835254-0131) 具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管
(835254-0130) 具有分级基区的横向晶体管,半导体集成电路及制造方法
(835254-0129) 只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
(835254-0128) 半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法
(835254-0127) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(835254-0126) 双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件
(835254-0125) 具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0124) 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
(835254-0123) 制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
(835254-0122) 具有硅－锗(sii－x－gex)门极mos晶体管的集成cmos电路的半导体装置及其生产方法
(835254-0121) 薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体器件
(835254-0120) 具有低导通电阻的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0119) 包含双极晶体管元件的半导体器件
(835254-0118) 具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法
(835254-0117) 具有双极性晶体管的半导体装置
(835254-0116) 双极晶体管、半导体发光元件和半导体元件
(835254-0115) 具有到上表面上漏极触点的低电阻通路的沟槽式双扩散金属氧化物半导体晶体管结构
(835254-0114) 使用金属氧化物半导体场效应晶体管的保护电路装置及其制造方法
(835254-0113) 高分子半导体场效应晶体管
(835254-0112) 用于制造包括一个非对称场效应晶体管的半导体器件的方法
(835254-0111) 具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件
(835254-0110) 具有分离栅的自对准双栅金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0109) 垂直金属－氧化物－半导体晶体管
(835254-0108) 垂直金属－氧化物－半导体晶体管及其制造方法
(835254-0107) 沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(835254-0106) 具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0105) 隐埋金属体接触结构和制造半导体场效应晶体管器件的方法
(835254-0104) 半导体器件中的列晶体管
(835254-0103) 垂直型金属氧化物半导体晶体管
(835254-0102) 具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法
(835254-0101) 制造半导体器件中的晶体管的方法
(835254-0100) 并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器
(835254-0099) 制造金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0098) 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
(835254-0097) 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
(835254-0096) 具有非易失性双晶体管存储单元的半导体存储器
(835254-0095) 免闭锁功率金属氧化物半导体一双极型晶体管
(835254-0094) 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
(835254-0093) 带有微波双极晶体管的半导体器件
(835254-0092) 晶体管、半导体电路及其制造方法
(835254-0091) 具有p＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(835254-0090) p沟道槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构
(835254-0089) 金属氧化物半导体晶体管对装置
(835254-0088) 带有竖直晶体管和掩埋字线的半导体器件
(835254-0087) 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0086) 具有浮动栅极的金属氧化物半导体晶体管的参考电压发生电路
(835254-0085) 制作双电压金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0084) 双极型晶体管及半导体装置
(835254-0083) 半导体器件的测试方法和带标识晶体管电路的半导体器件
(835254-0082) 非易失ｐ沟道金属氧化物半导体二晶体管存储单元和阵列
(835254-0081) 高速/高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0080) 互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法
(835254-0079) 绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
(835254-0078) 具有金属－绝缘膜－半导体三层结构的晶体管的制造方法
(835254-0077) 制造同一衬底上混有mos晶体管和双极晶体管的半导体器件的方法
(835254-0076) 含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件
(835254-0075) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0074) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(835254-0073) 金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法
(835254-0072) 在同一衬底上具有n和p型场效应晶体管的半导体器件
(835254-0071) 晶体管、晶体管阵列、制造晶体管阵列的方法和非易失半导体存储器
(835254-0070) 具有纵向型和横向型双极晶体管的半导体器件
(835254-0069) 有降低漏电流的晶体管的半导体器件及其制造方法
(835254-0068) 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
(835254-0067) 制造半导体器件中晶体管的方法
(835254-0066) 制造具有各种金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件的方法
(835254-0065) 制造结晶硅半导体和薄膜晶体管的方法
(835254-0064) 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
(835254-0063) 半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法
(835254-0062) 晶体管、半导体电路及其制造方法
(835254-0061) 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
(835254-0060) 用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法
(835254-0059) 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
(835254-0058) 具有改良的绝缘栅型晶体管的半导体器件
(835254-0057) 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管
(835254-0056) 一种金属-半导体埸效应晶体管
(835254-0055) 用于互补金属氧化物场效应晶体管半导体动态存贮器的字线升压电路
(835254-0054) 一种金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0053) 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
(835254-0052) 电阻--氧化物--半导体场效晶体管
(835254-0051) 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
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(835254-0048) 晶体性半导体膜的形成方法、薄膜晶体管的制造方法、太阳电池的制造方法及其有源阵列型液晶装置
(835254-0047) 有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制造方法
(835254-0046) 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管
(835254-0045) 不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
(835254-0044) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
(835254-0043) 制造半导体器件的晶体管的方法
(835254-0042) 半导体器件的晶体管结构
(835254-0041) 半导体器件中的晶体管及其制造方法
(835254-0040) 半导体器件中的晶体管及其制造方法
(835254-0039) 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
(835254-0038) 窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路
(835254-0037) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0036) 制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
(835254-0035) 形成具有自我对准的金属氧化物半导体晶体管的方法
(835254-0034) 半导体器件及晶体管的短信道效应最小化的方法
(835254-0033) 一种双极型晶体管及应用它的半导体装置
(835254-0032) 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(835254-0031) 半导体器件中晶体管的形成方法
(835254-0030) 功率金属氧化物半导体场效晶体管中的配置
(835254-0029) 功率金属氧化物半导体晶体管的配置
(835254-0028) 碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法
(835254-0027) 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法
(835254-0026) 制作金氧半导体晶体管的方法
(835254-0025) 具有超薄的应变矽通道的金氧半导体场效晶体管及其制作方法
(835254-0024) 半导体元件的短沟道晶体管的制造方法
(835254-0023) 优化偏置级联金属氧化物半导体场效应晶体管射频器件的方法和装置
(835254-0022) 具有双扩散体分布的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(835254-0021) 采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
(835254-0020) 使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件
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