|
|
| 首页 >> 专题资料 >> 电气元件 |
| 高压半导体专题资料光盘 |
| 时间:2010-3-14,点击:0 |
光盘编号:873430 《高压半导体专题资料光盘》包括专利技术全文资料259份。整套光盘收费2180元,全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式: (1)在线订购>>点击此处 客服qq: 78865105 (2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751(周一至周六18:00以后,周日及法定节假日全天) (3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称 (873430-0259) 半导体泵浦激光器一体化控制器 (873430-0258) 半导体灯管诱灭蚊蝇器 (873430-0257) 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置 (873430-0256) 厚栅高压p型金属氧化物半导体管 (873430-0255) 高压侧驱动器的半导体结构 (873430-0254) 高压侧驱动器的半导体结构 (873430-0253) 高压侧驱动器的半导体结构 (873430-0252) 高压n型金属氧化物半导体管 (873430-0251) 高压p型金属氧化物半导体管 (873430-0250) 半导体均压合成绝缘子 (873430-0249) 一种半导体制冷器 (873430-0248) 高压金属氧化物半导体元件结构 (873430-0247) 高压金属氧化物半导体元件 (873430-0246) 平板式功率半导体器件及其散热器的压装装置 (873430-0245) 半导体启辉器 (873430-0244) 多电位场极板横向高压n型金属氧化物半导体管 (873430-0243) 一种多个电力半导体交替串联多个绕组的高压桥臂 (873430-0242) 半导体、二极管的封装结构 (873430-0241) 用于清洗和干燥半导体工件容器的设备和方法 (873430-0240) 复合式过压保护器及其在半导体变流设备中的应用 (873430-0239) 半导体器件 (873430-0238) 在硅片上复合zno锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法 (873430-0237) 用于电线和电缆制备的半导体聚合物组合物 (873430-0236) 高压半导体元件装置 (873430-0235) 半导体器件、p型mos晶体管及其制作方法 (873430-0234) 具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法 (873430-0233) 半导体器件及其制造方法 (873430-0232) 半导体装置及其制造方法 (873430-0231) 氮化物半导体的制造方法、结晶生长速度增加剂、氮化物单晶、晶片及器件 (873430-0230) 一种半导体横向器件和高压器件 (873430-0229) 半导体装置 (873430-0228) 高压n型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 (873430-0227) 高压p型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 (873430-0226) 强磁场下zno及其稀磁半导体材料的制备方法与装置 (873430-0225) 半导体装置 (873430-0224) 金属氧化物半导体场效应晶体管结构 (873430-0223) bcd半导体器件及其制造方法 (873430-0222) 半导体器件的制造方法 (873430-0221) 一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置 (873430-0220) 一种半导体器件 (873430-0219) 半导体装置及其制造方法 (873430-0218) 半导体器件及其制造方法 (873430-0217) 高、低压侧n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装 (873430-0216) 具有sti区的非对称场效应半导体器件 (873430-0215) 高压金属氧化物半导体晶体管 (873430-0214) 用于转换电流的设备以及用于降低高压能量分配和传输领域内的功率半导体单元的载荷改变负担的方法 (873430-0213) 半导体器件的制造方法 (873430-0212) 电平移动电路和半导体器件 (873430-0211) 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 (873430-0210) 半导体装置 (873430-0209) 制造半导体高压器件的方法 (873430-0208) 半导体器件及其制造方法 (873430-0207) 不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法 (873430-0206) 增加击穿电压的半导体结构及制造方法 (873430-0205) 制作高压金氧半导体元件的方法 (873430-0204) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (873430-0203) 半导体元件中高压漂移的制造方法 (873430-0202) 一种半导体结构 (873430-0201) 半导体元件及其制造方法 (873430-0200) 一种半导体器件及其提供的低压电源的应用 (873430-0199) 半导体集成电路 (873430-0198) 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置 (873430-0197) 半导体器件 (873430-0196) 金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 (873430-0195) 一种超大功率半导体列阵外腔形变补偿量全量获取技术 (873430-0194) 一种分离式超大功率半导体列阵外腔形变补偿量半量获取技术 (873430-0193) 一种天基半导体列阵技术 (873430-0192) 与半导体工艺兼容的非铅系铁电薄膜及其制备方法 (873430-0191) 半导体结构 (873430-0190) 半导体结构 (873430-0189) 半导体集成电路装置 (873430-0188) 半导体装置制造方法 (873430-0187) 半导体元件驱动装置、电力变换装置和电机驱动装置及方法 (873430-0186) 半导体元件、集成电路以及半导体元件的制造方法 (873430-0185) 绝缘膜半导体装置及方法 (873430-0184) 半导体装置及其制造方法、与其所使用的图罩 (873430-0183) 用树脂覆盖的耐高压半导体器件及其制造方法 (873430-0182) 一种包括金属氧化物半导体场效应管的安全电路 (873430-0181) 沟槽高压n型金属氧化物半导体管及其制备工艺 (873430-0180) 具有不同电压承受力的半导体元件的制造工艺 (873430-0179) 厚栅高压p型金属氧化物半导体管及其制备方法 (873430-0178) 高压半导体器件及其制造方法 (873430-0177) 半导体装置及其制造方法 (873430-0176) 高压n型金属氧化物半导体管及其制备方法 (873430-0175) 超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 (873430-0174) 高压半导体器件及其制造方法 (873430-0173) 高压半导体组件及其制造方法 (873430-0172) 半导体器件及其制造方法 (873430-0171) 高压p型金属氧化物半导体管及其制备方法 (873430-0170) 高压金属氧化物半导体元件 (873430-0169) 用于半导体衬底的高压处理室 (873430-0168) 高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法 (873430-0167) 高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 (873430-0166) 高压半导体装置、半导体装置及其形成方法 (873430-0165) 用于增进信道载子移动性之具有高应力衬料之基于si-ge的半导体装置 (873430-0164) 用于高压双向半导体开关的驱动电路 (873430-0163) 高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法 (873430-0162) 超高压金属氧化物半导体晶体管元件 (873430-0161) 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 (873430-0160) 半导体电路、倒相器电路以及半导体设备 (873430-0159) 半导体均压层和中导电性硅橡胶及制备合成绝缘子的工艺 (873430-0158) 高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法 (873430-0157) 半导体装置及高压p型金属氧化物半导体装置 (873430-0156) 静电放电防护架构以及半导体晶片 (873430-0155) 具有光触发的功率半导体元件的火花隙 (873430-0154) 高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法 (873430-0153) 具有均化电容的高压和低导通电阻横向扩散金属氧化物半导体晶体管 (873430-0152) 高压金属氧化物半导体元件 (873430-0151) 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺 (873430-0150) 高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 (873430-0149) 高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 (873430-0148) 高压半导体器件及其制造方法 (873430-0147) 具有场稳定膜的半导体器件和方法 (873430-0146) 抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件 (873430-0145) 具有纳米簇的半导体器件 (873430-0144) 半导体元件的清洗方法 (873430-0143) 半导体装置 (873430-0142) 功率半导体装置 (873430-0141) 以低介电常数内连线隔离的半导体芯片 (873430-0140) 具有提高的击穿电压的半导体器件 (873430-0139) 三维多栅高压p型横向双扩散金属氧化物半导体管 资(873430-0138) 三维多栅高压n型横向双扩散金属氧化物半导体管 料(873430-0137) 0.8微米硅双极互补金属氧化物半导体集成电路制造工艺 来(873430-0136) 半导体元件驱动用集成电路及电能变换装置 源(873430-0135) 一种制备iib族半导体硫化物纳米材料的方法 :(873430-0134) 一种锑化镓纳米半导体溶剂热共还原制备方法 深(873430-0133) 用于半导体晶片的包含升降机构的适合高压的真空吸盘 圳(873430-0132) 半导体器件 市(873430-0131) 半导体装置及其制造方法 万(873430-0130) 平板式功率半导体器件及其散热器的压装方法及其装置 宁(873430-0129) 一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件 达(873430-0128) 高品质半导体发光材料zno纳米囊的制备方法 信(873430-0127) 半导体元件的结构与制造方法 息(873430-0126) 半导体元件及其制造方法 咨(873430-0125) 半导体封装及切割槽的形成方法及其去闪光方法 询(873430-0124) 半导体器件 有(873430-0123) 制造合并型半导体装置的方法 限(873430-0122) 半导体器件内形成高压结的方法 公(873430-0121) 双栅高压p型金属氧化物半导体管 司(873430-0120) 双栅高压n型金属氧化物半导体管 (873430-0119) 制造高压半导体器件的工艺 (873430-0118) 高压n型横向双扩散金属氧化物半导体管 (873430-0117) 高压p型金属氧化物半导体管 (873430-0116) 纳米磷化物半导体材料的水热合成制备方法 (873430-0115) 高压互补式金氧半导体的制造方法 (873430-0114) 半导体器件 (873430-0113) 降低耦合噪声的半导体器件 (873430-0112) 半导体器件及其制造方法 (873430-0111) 台面型半导体装置的制造方法 (873430-0110) 制造过氧化物交联绝缘层和 或半导体层电缆的方法和设备 (873430-0109) 包含流量增强特征的半导体衬底高压加工室 (873430-0108) 包括以多孔半导体材料矩阵为形式的燃烧室的发电装置 (873430-0107) 半导体装置钝化方法 (873430-0106) 用于多个半导体衬底的高压处理室 (873430-0105) 多电位场极板横向高压n型金属氧化物半导体管 (873430-0104) 利用逆向离子植入方式形成高压互补式金属氧化物半导体的方法 (873430-0103) 用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石 (873430-0102) 场效应晶体管半导体器件 (873430-0101) 自限式半导体直流电加热材料防寒低压供油管的生产工艺 (873430-0100) 一种热电半导体双制式空调器 (873430-0099) 热电半导体恒温毯 (873430-0098) 沟槽高压p型金属氧化物半导体管 (873430-0097) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (873430-0096) 半导体瓷片电容器自动测量联动机 (873430-0095) 结构改进的半导体灌胶装置 (873430-0094) 汽车半导体点火装置 (873430-0093) 敞开式短尾半导体电容套管 (873430-0092) 微型半导体x线机 (873430-0091) 电力半导体器件用风冷散热器 (873430-0090) 半导体超声波高压脉冲灭鼠仪 (873430-0089) 小型半导体激光器脉冲电源模块 (873430-0088) 高压应力薄膜与应变硅金属氧化物半导体晶体管及其制法 (873430-0087) 高压半导体器件的制造方法 (873430-0086) 具有电容器的半导体元件的制造方法 (873430-0085) 高压p型金属氧化物半导体管及其制备方法 (873430-0084) 高压n型金属氧化物半导体管及其制备方法 (873430-0083) 高压半导体器件及其制造方法 (873430-0082) 半导体器件及其制造方法 (873430-0081) 高压半导体器件结构 (873430-0080) 功率半导体器件及制造方法 (873430-0079) 半导体元件及其操作方法 (873430-0078) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法 (873430-0077) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法 (873430-0076) 半导体元件的制造方法 (873430-0075) 半导体器件 (873430-0074) 体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 (873430-0073) 用于半导体存储器的多厚度电介质 (873430-0072) 用于形成半导体器件的方法 (873430-0071) 块纳米半导体pbte材料的高压合成方法 (873430-0070) 埋入式非易失性半导体存储器单元的制造方法 (873430-0069) 半导体晶片加工系统中的高压室的参数监视仪 (873430-0068) 半导体元器件的致冷冷却装置 (873430-0067) 光纤光栅外腔半导体激光器的稳频装置及其稳频方法 (873430-0066) 半导体集成电路装置及其制造方法 (873430-0065) 耐高压半导体器件 (873430-0064) 一种半导体纤维加热片及其制备方法 (873430-0063) 用于半导体存储器器件的高压发生电路 (873430-0062) 无损测量半导体器件的漂移区的掺杂浓度和分布的方法 (873430-0061) 一种用于有浮动电压端的半导体器件的表面耐压层 (873430-0060) 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法 (873430-0059) 半导体器件的制造方法和半导体器件 (873430-0058) 物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法 (873430-0057) 半导体集成电路 (873430-0056) 用于制造半导体器件的显影系统及其控制方法 (873430-0055) 半导体晶片注胶方法及装置 (873430-0054) 在阱区间无台阶的半导体器件 (873430-0053) 半导体装置 (873430-0052) 用于半导体散热器的复合材料及其制造方法 (873430-0051) 制造半导体器件的方法 (873430-0050) 半导体电路的保护电路 (873430-0049) 在同一衬底上具有n和p型场效应晶体管的半导体器件 (873430-0048) 在半导体器件上形成光刻胶膜的装置及其形成方法 (873430-0047) 在半导体芯片上转换较高电压的电路装置和控制该装置的方法 (873430-0046) 用于树脂密封半导体器件的引线框和树脂密封半导体器件的制造方法 (873430-0045) 基准电压半导体器件 (873430-0044) 具有电子施主的半导体二极管 (873430-0043) 振荡电路和非易失半导体存储器 (873430-0042) 高压截断半导体器件 (873430-0041) 氨敏半导体器件及其制造方法 (873430-0040) 一种用于半导体器件的表面耐压区 (873430-0039) 半导体集成电路 (873430-0038) 半导体集成电路及其制造方法 (873430-0037) 半导体器件的制造方法 (873430-0036) 可见半导体激光血管内照射治疗仪 (873430-0035) 具有异型掺杂岛的半导体器件耐压层 (873430-0034) 半导体器件及其制造方法 (873430-0033) 一种介质隔离半导体器件及其制造方法 (873430-0032) 一种击穿电压高的薄有源层半导体器件 (873430-0031) 氢敏半导体器件及其制造方法 (873430-0030) 一种台面半导体器件钝化工艺及设备 (873430-0029) 半导体探测器的保护装置 (873430-0028) 半导体阀门 (873430-0027) 台面型半导体器件的制造方法 (873430-0026) 非易失性半导体存储器件中的自动编程电路 (873430-0025) 半导体器件 (873430-0024) 半导体器件及其制造方法 (873430-0023) 半导体装置及其制造方法 (873430-0022) 半导体装置的制造方法 (873430-0021) 半导体装置的制造方法 (873430-0020) 电力半导体装置 (873430-0019) 具有改进开关特性的硅上绝缘体ld金属氧化物半导体结构 (873430-0018) 半导体装置 (873430-0017) 半导体装置 (873430-0016) 半导体装置及其制造方法 (873430-0015) 半导体装置的制造方法 (873430-0014) 半导体装置的制造方法 (873430-0013) 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法 (873430-0012) 在半导体si基片上沉积纳米cu颗粒膜的高压电化学方法 (873430-0011) 非易失半导体存储装置 (873430-0010) 半导体膜、半导体膜的形成方法、及半导体装置的制造方法 (873430-0009) 内置保护n型高压金属氧化物半导体管 (873430-0008) 内置保护p型高压金属氧化物半导体管 (873430-0007) 功率半导体模块 (873430-0006) 高介电系数介质与半导体构成的耐压层 (873430-0005) 半导体装置的制造方法 (873430-0004) 半导体装置的制造方法及半导体装置 (873430-0003) 半导体装置的制造方法 (873430-0002) 电容器、半导体装置和其制造方法、电光装置及电子机器 (873430-0001) 半导体装置的制造方法及根据此方法制造的半导体装置
|
|
|
|
| 【打印】【关闭】 |
|
|