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| 除去蚀刻专题资料光盘 |
| 时间:2010-3-14,点击:0 |
光盘编号:873372 《除去蚀刻专题资料光盘》包括专利技术全文资料87份。整套光盘收费200元,全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式: (1)在线订购>>点击此处 客服qq: 78865105 (2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751(周一至周六18:00以后,周日及法定节假日全天) (3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称 (873372-0087) 二阶激光盲孔“uv+酸性蚀刻+co2”制作方法 (873372-0086) 醋化醋杆菌在处理含铜蚀刻废液中的应用 (873372-0085) 在衬底上形成多阶表面的蚀刻方法 (873372-0084) 用于基于sonos的快闪存储的多晶硅栅极蚀刻方法和器件 (873372-0083) 蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 (873372-0082) 低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法 (873372-0081) 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法 (873372-0080) 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 (873372-0079) 使用蚀刻停止层形成贯穿晶片电学互连及其它结构 (873372-0078) 蚀刻液组合物 (873372-0077) 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 (873372-0076) 选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法 (873372-0075) 蚀刻剂 (873372-0074) 设置有用于吸尘的叶轮的刀具的切削或蚀刻装置 (873372-0073) 印刷线路板的制造方法及在其中使用的电解蚀刻处理液 (873372-0072) 蚀刻液的再生方法,蚀刻方法及蚀刻装置 (873372-0071) 蚀刻方法以及蚀刻装置 (873372-0070) 低蚀刻性光刻胶清洗剂 (873372-0069) 表面处理方法、蚀刻处理方法及电子装置的制造方法 (873372-0068) 电容元件的制造方法以及蚀刻方法 (873372-0067) 用于除去薄膜层的预蚀刻注入损伤 (873372-0066) 具有均匀性控制的蚀刻 (873372-0065) 蚀刻与清洗衬底的系统和方法 (873372-0064) 利用蚀刻废液制备饲料级蛋氨酸铜螯合物的方法 (873372-0063) 改进的蚀刻方法 (873372-0062) 干蚀刻方法 (873372-0061) 发光器件基片的蚀刻 (873372-0060) 电解电容器用铝箔和形成蚀坑的蚀刻法 (873372-0059) 用线路板蚀刻废液生产氧氯化铜的方法 (873372-0058) 用于半添加法印刷布线基板制造的蚀刻除去方法及蚀刻液 (873372-0057) 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻 灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物 (873372-0056) 蚀刻残渣除去方法以及使用它的半导体器件的制造方法 (873372-0055) 增加沟槽表面区域的选择性蚀刻 (873372-0054) 氯化铜蚀刻废液的精制方法和精制氯化铜溶液 (873372-0053) 等离子体蚀刻方法 资(873372-0052) 蚀刻溶液和除去低-k电介质层的方法 料(873372-0051) 深沟渠的制备方法及其蚀刻混合液 来(873372-0050) 铟氧化物层的蚀刻剂组合物及使用它的蚀刻方法 源(873372-0049) 用于从基片上除去光致抗蚀剂和 或蚀刻残留物的组合物及其应用 :(873372-0048) 硅蚀刻和腔室清洁工艺的集成 深(873372-0047) 用于去除灰化和未灰化铝蚀刻后残留物的超临界二氧化碳化学制剂 圳(873372-0046) 蚀刻方法 市(873372-0045) 干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法 万(873372-0044) 用于除去蚀刻残留物的组合物基材及其应用 宁(873372-0043) 用于后蚀刻残余物的胶束技术 达(873372-0042) 蚀刻构图的硅氧烷层的方法 信(873372-0041) 具有双蚀刻停止衬里和保护层的器件及相关方法 息(873372-0040) 具有双蚀刻停止衬里和重新形成的硅化物层的器件及相关方法 咨(873372-0039) 适合用来除去光刻胶、光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用 询(873372-0038) 蚀刻方法和用于形成蚀刻保护层的组合物 有(873372-0037) 一种蚀刻方法 限(873372-0036) 电浆蚀刻方法 公(873372-0035) 干蚀刻方法 司(873372-0034) 硅化钌湿法蚀刻 (873372-0033) 用作气相反应器清洗、蚀刻及掺杂气体的全氟酮 (873372-0032) 蚀刻在玻璃基片类型的透明基片上沉积的层的方法 (873372-0031) 多晶硅的蚀刻方法 (873372-0030) 蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统 (873372-0029) 在表面用聚焦电子束诱导化学反应蚀刻表面材料的方法 (873372-0028) 使用聚合物蚀刻掩模在灯丝中形成离散微孔隙的方法及设备 (873372-0027) 生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂 (873372-0026) 除去光刻胶和蚀刻残渣的方法 (873372-0025) 蚀刻方法 (873372-0024) 蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法 (873372-0023) 蚀刻期间保持sti的结构和方法 (873372-0022) 蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法 (873372-0021) 蚀刻方法及使用蚀刻方法的电路装置的制造方法 (873372-0020) 不需要单独溶剂冲冼步骤的脱除侧壁聚合物和蚀刻剂残余物的组合物 (873372-0019) 铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制法 (873372-0018) 用于蚀刻工艺的稳定的光致抗蚀剂结构 (873372-0017) 用于除去硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后残留物和 或底部抗反射涂层的稠密流体组合物 (873372-0016) 从包括铜和低k电介体的基片上除去抗蚀剂、蚀刻残余物和氧化铜的方法 (873372-0015) 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 (873372-0014) 低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法 (873372-0013) 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法 (873372-0012) 蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 (873372-0011) 用于旋转蚀刻平面化的组合物与方法 (873372-0010) 光刻蚀刻制作工艺 (873372-0009) 用于去除抗光蚀剂和蚀刻残留物的含有氟化物的酸性组合物 (873372-0008) 应用羧酸羟铵除去耐蚀膜和蚀刻残余物的组合物和方法 (873372-0007) 在铝 铜金属线路上除去活性离子蚀刻后的聚合物 (873372-0006) 氨性蚀刻装置中加速蚀刻及沉积金属的方法 (873372-0005) 玉石无毒蚀刻工艺 (873372-0004) 天然大理石快速保真蚀刻方法 (873372-0003) 废蚀刻液重复使用的方法 (873372-0002) 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法 (873372-0001) 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法
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