|
|
| 首页 >> 专题资料 >> 电气元件 |
| 单电子晶体管专题资料光盘 |
| 时间:2010-3-14,点击:0 |
光盘编号：873292 《单电子晶体管专题资料光盘》包括专利技术全文资料108份。整套光盘收费200元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
(1)在线订购>>点击此处 客服qq： 78865105
(2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751（周一至周六18：00以后，周日及法定节假日全天）
(3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称
(873292-0108) 功率晶体管在印制电路板上的固定焊接结构
(873292-0107) 一种zno基透明薄膜晶体管
(873292-0106) gan场效应晶体管和单片电路台形接地通孔的制作方法
(873292-0105) 使用升压时钟的单功率晶体管电池充电电路
(873292-0104) 薄膜晶体管的制备方法
(873292-0103) 基于碳纳米管场效应晶体管的生物检测器件的制造方法
(873292-0102) 绝缘层、电子元件、场效应晶体管和聚乙烯基苯硫酚
(873292-0101) 一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法
(873292-0100) 基于单电子的柔性多功能逻辑电路及其晶体管
(873292-0099) 一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法
(873292-0098) 凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管
(873292-0097) 源场板高电子迁移率晶体管
(873292-0096) 绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法
(873292-0095) 槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管
(873292-0094) 一种制备单电子晶体管的方法
(873292-0093) 一种制备射频单电子晶体管位移传感器的方法
(873292-0092) 围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法
(873292-0091) 非易失存储器设备编程选择晶体管以及对其编程的方法
(873292-0090) 一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法
(873292-0089) 薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法
(873292-0088) 一种基于soi量子线的单电子晶体管及其制作方法
(873292-0087) 一种晶体管t型纳米栅的制作方法
(873292-0086) 采用一次电子束曝光制备晶体管t型纳米栅的方法
(873292-0085) 一种有机薄膜晶体管及其制备方法
(873292-0084) 一种大功率晶体管变频电源
(873292-0083) 一种soi基顶栅单电子晶体管及其制备方法
(873292-0082) 一种soi基顶栅单电子晶体管及其制备方法
(873292-0081) 一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法
(873292-0080) 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
(873292-0079) 一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法
(873292-0078) 一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法
(873292-0077) 一种氨气掺杂制备增强型zno沟道层薄膜晶体管的方法
(873292-0076) 一种用于薄膜晶体管的灰度调制装置
(873292-0075) 聚合物电解质薄膜晶体管
(873292-0074) 双向双极型晶体管
(873292-0073) 双向绝缘栅双极晶体管
(873292-0072) 绝缘栅双极晶体管模块
(873292-0071) 含侧链型有机硅烷化合物，薄膜晶体管及其制造方法
(873292-0070) 铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法
(873292-0069) 薄膜晶体管检测系统及使用其的检测方法
(873292-0068) 通过注氧进行量子**的硅基单电子晶体管及制作方法
(873292-0067) 一种具有非连续导电膜的薄膜晶体管
(873292-0066) 复合缓冲层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法
(873292-0065) 砷化镓基增强 耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
(873292-0064) 砷化镓基增强 耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
资(873292-0063) 薄膜晶体管控制的薄膜场发射显示器件
料(873292-0062) 导电性薄膜和薄膜晶体管
来(873292-0061) 高电子迁移率晶体管电路t型栅制作方法
源(873292-0060) 半导体元件,有机晶体管,发光器件,和电子器件
：(873292-0059) 一种部分耗尽的soimos晶体管及其制作方法
深(873292-0058) 基于碳纳米管的单电子晶体管制备方法
圳(873292-0057) 单电子晶体管、场效应晶体管、传感器、传感器的制造方法及检测方法
市(873292-0056) 功能有机薄膜,有机薄膜晶体管,含π电子共轭分子的硅化合物,它们的形成方法
万(873292-0055) 金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法
宁(873292-0054) 单个晶体管dram单元结构及其形成方法
达(873292-0053) 使用高压薄膜晶体管的微机电系统器件的集成驱动器
信(873292-0052) 纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管
息(873292-0051) 晶体管及其制造方法、电光装置、半导体器件及电子设备
咨(873292-0050) 具有存储功能的单电子晶体管及其制造方法
询(873292-0049) 单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合
有(873292-0048) 具有稳定开关特性的单电子晶体管
限(873292-0047) 两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法
公(873292-0046) 用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
司(873292-0045) 基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
(873292-0044) 具有改进的栅电介质表面的有机薄膜晶体管
(873292-0043) 一种配对晶体管及其制造方法
(873292-0042) 浮栅闪存场效应晶体管
(873292-0041) 准双栅场效应晶体管
(873292-0040) 结栅场效应晶体管
(873292-0039) 电极及其形成方法、薄膜晶体管、电子电路、显示装置
(873292-0038) 一种zno基透明薄膜晶体管及其制备方法
(873292-0037) 点接触平面栅型单电子晶体管
(873292-0036) 单电子晶体管
(873292-0035) 模拟式晶体管弧焊机
(873292-0034) 全晶体管式感应加热用高频电源装置
(873292-0033) 晶体管高频锅炉水质处理仪
(873292-0032) 耐高电压的场效应功率晶体管固体组件)
(873292-0031) 晶体管调节器
(873292-0030) 晶体管交流稳压器
(873292-0029) 防爆型晶体管直流变换器
(873292-0028) 晶体管发射回答器
(873292-0027) 触点控制式晶体管点火装置
(873292-0026) 晶体管在线测试仪
(873292-0025) 晶体管、厚膜集成电路混合式电子调节器
(873292-0024) 晶体管逆变器
(873292-0023) 用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器
(873292-0022) 利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器
(873292-0021) 用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器
(873292-0020) 基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器
(873292-0019) 使用多隧穿结结构的单电子晶体管的多值单电子存储器
(873292-0018) 功率金属氧化物硅场效应晶体管
(873292-0017) 多晶收集区倒置结构sige异质结晶体管
(873292-0016) 一种使红外发光二极管和光敏晶体管在水中使用的电路
(873292-0015) 纳米金属氧化线单电子晶体管
(873292-0014) 通过两个功率晶体管的交织结构来改善放大器电路内的散热
(873292-0013) 点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(一)
(873292-0012) 点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(二)
(873292-0011) 一种单电子晶体管及其制备方法
(873292-0010) 钙钛矿结构氧化物复合膜晶体管
(873292-0009) 钛酸钡晶体管
(873292-0008) 钛酸锶晶体管
(873292-0007) 量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
(873292-0006) 免闭锁功率金属氧化物半导体一双极型晶体管
(873292-0005) 非易失ｐ沟道金属氧化物半导体二晶体管存储单元和阵列
(873292-0004) 用晶体管作偏置元件的共基极放大电路
(873292-0003) 半导体器件的晶体管结构
(873292-0002) 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
(873292-0001) 假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法
|
|
|
|
| 【打印】【关闭】 |
|
|
设为首页
加入收藏