|
|
| 首页 >> 专题资料 >> 电气元件 |
| 绝缘锗专题资料光盘 |
| 时间:2010-3-3,点击:0 |
光盘编号：872707 《绝缘锗专题资料光盘》包括专利技术全文资料20份。整套光盘收费200元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
(1)在线订购>>点击此处 客服qq： 78865105
(2) 电话订购 0755-33090789-1(分机) 13322986951/13322986751（周一至周六18：00以后，周日及法定节假日全天）
(3) 传真订购 0755-33090989-9(分机)
技术编号 技术名称
(872707-0020) 绝缘体上锗硅衬底的制备方法
(872707-0019) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用
(872707-0018) 通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅
(872707-0017) 制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
(872707-0016) 通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构
(872707-0015) 在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变si sige的方法
(872707-0014) 包含与硅衬底和硅电路集成的绝缘锗光电探测器的图像传感器
(872707-0013) 绝缘体上硅锗(sgoi)和绝缘体上锗(goi)衬底的制造方法
(872707-0012) 利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法
(872707-0011) 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
(872707-0010) 绝缘体上覆锗型晶片的制造方法
(872707-0009) 集成于绝缘衬底上外延硅薄板上的多晶锗基波导检测器
(872707-0008) 制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
(872707-0007) 改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
(872707-0006) 基于硅锗 硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
(872707-0005) 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法
(872707-0004) 形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构
(872707-0003) 包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜
(872707-0002) 锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管
(872707-0001) 硅锗 绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
|
|
|
|
| 【打印】【关闭】 |
|
|
设为首页
加入收藏