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光盘编号：868815 《栅氧专题资料光盘》包括专利技术全文资料191份。整套光盘收费230元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
(868815-0190) 厚栅高压p型金属氧化物半导体管
(868815-0189) 人工浮栅氧化塘
(868815-0188) 基于光纤布拉格光栅对和催化氧化原理的甲烷传感器
(868815-0187) 栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构
(868815-0186) 使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器
(868815-0185) 具有台阶型栅氧化层的射频soi功率nmosfet
(868815-0184) 一种栅氧化层的制造方法
(868815-0183) 用于改进栅极氧化层的完整性的集成的氢退火和栅氧化
(868815-0182) 形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法
(868815-0181) 栅氧化层形成方法
(868815-0180) 提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法及栅极的制造方法
(868815-0179) 一种测量栅氧化层厚度的方法
(868815-0178) 铅酸蓄电池板栅的氧化方法
(868815-0177) 铅酸蓄电池板栅的氧化方法
(868815-0176) 具有双金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制作方法
(868815-0175) 选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法
(868815-0174) 具有双金属栅极的互补金属氧化物半导体元件的制作方法
(868815-0173) 平面分离栅极高性能金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法
(868815-0172) 以含贵重气体的双等离子体氮化法增进cmos氮氧化硅栅介电层效能的方法
(868815-0171) 氮氧化硅栅极电介质的形成方法
(868815-0170) 一种双栅氧器件的栅极侧墙制造方法
(868815-0169) 制作栅氧化层的方法
(868815-0168) 使用ⅲ-ⅴ族化合物半导体及高介电常数栅极电介质的掩埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
(868815-0167) 防止晶片处理工艺期间沟槽mosfet的栅氧化损坏的方法
(868815-0166) 一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法
(868815-0165) 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法
(868815-0164) 以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法
(868815-0163) 低栅极感生的漏极泄漏的金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制备方法
(868815-0162) 形成高压栅氧结构的工艺方法
(868815-0161) 具有通过使用非晶氧化物膜而形成的栅绝缘层的场效应晶体管
(868815-0160) 薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质
(868815-0159) 使用源 体泵保护栅氧化物的方法及装置
(868815-0158) 用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
(868815-0157) 保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法
(868815-0156) 可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法
(868815-0155) 栅氧化层的制造方法
(868815-0154) 利用硅的局部氧化技术制造的双栅极结构
(868815-0153) 氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
(868815-0152) 不同厚度的栅氧化层的制造方法
(868815-0151) 具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管
(868815-0150) 具有y型金属栅极的金属氧化物半导体晶体管及其工艺
(868815-0149) 具有氮化栅极氧化物的cmos成像器和制造方法
(868815-0148) 一种可提高均匀性的栅极氧化层的制作方法
(868815-0147) 用于测试栅氧化层完整性的矩阵型测试结构
(868815-0146) 凹入式栅极金属氧化物半导体晶体管装置及其制作方法
(868815-0145) 一种可提高栅极氧化层均匀性的功率mos管的制作方法
(868815-0144) 栅氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法
(868815-0143) 用于更低的米勒电容和改善的驱动电流的单个栅极上的多个低和高介电常数栅级氧化物
(868815-0142) 氧化物填充扩展沟槽栅超结mosfet及其制造方法
(868815-0141) 一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法
(868815-0140) 栅氧化膜的制造方法
(868815-0139) 高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)中的栅极接触与导路
(868815-0138) 一种优化分离栅器件高温化学气相淀积氧化物厚度的方法
(868815-0137) 带厚栅极氧化层的多次可编程非易失性存储器件
(868815-0136) 自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法
(868815-0135) 异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管
(868815-0134) 互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器
(868815-0133) 将四乙氧基硅烷用于形成高压器件栅氧层的方法
(868815-0132) 使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法
(868815-0131) 一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
(868815-0130) 栅氧化层之制备方法
(868815-0129) 厚栅高压p型金属氧化物半导体管及其制备方法
(868815-0128) 对互补金属氧化物半导体集成电路的nmos和pmos晶体管使用不同栅电介质
(868815-0127) 高压mos管栅极氧化膜结构及其生长方法
(868815-0126) 结合互补金属氧化物半导体集成电路的nmos和pmos晶体管使用不同的栅介质
(868815-0125) 栅极、包含此栅极的金属氧化物半导体晶体管及制造方法
(868815-0124) 在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法
(868815-0123) 利用熔丝测试栅极氧化物的方法与装置
(868815-0122) 测试半导体器件栅氧化物整体性的带***的测试键
(868815-0121) 一种超薄氮化硅 二氧化硅叠层栅介质的制备方法
(868815-0120) 基于光纤布拉格光栅对和催化氧化原理的甲烷传感装置
(868815-0119) 制造氮化氧化硅栅极介质的方法
(868815-0118) 深沟槽内栅极氧化层上的脆弱点的消除
(868815-0117) 在eeprom单元内形成低电压栅氧化层和隧道氧化层的方法
(868815-0116) 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺
(868815-0115) 形成闪存存储器件的高电压区域的栅极氧化膜的方法
(868815-0114) 整合具有不同功函数的金属以形成具有高k栅极电介质及相关结构的互补金属氧化物半导体栅极的方法
(868815-0113) 非对称凹陷栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制法
(868815-0112) 栅氧化层的制造方法
(868815-0111) 三维多栅高压p型横向双扩散金属氧化物半导体管
(868815-0110) 三维多栅高压n型横向双扩散金属氧化物半导体管
(868815-0109) 顶部漏极型金属氧化物半导体栅控器件及其制造工艺
(868815-0108) 具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(868815-0107) 一种改进的具有多个栅极氧化层的晶体管及其制造方法
(868815-0106) 紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法
(868815-0105) 三栅极与栅极环绕的金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法
资(868815-0104) 一种栅氧化工艺的热处理方法
料(868815-0103) 栅氧化膜的制造方法
来(868815-0102) 具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法
源(868815-0101) 双栅极及三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
：(868815-0100) 用于制造具有多栅氧化膜的半导体器件的方法
深(868815-0099) 低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器
圳(868815-0098) 蚀刻金属氧化物半导体栅极构造的氮氧化方法
市(868815-0097) 具有改善的隧道氧化物的双栅存储单元
万(868815-0096) 用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
宁(868815-0095) 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法
达(868815-0094) 测量金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法
信(868815-0093) 一种半导体器件含氮栅氧化硅层结构及其制造工艺
息(868815-0092) 一种半导体器件含氮双栅氧化硅层的制备方法
咨(868815-0091) mos晶体管栅角的增强氧化方法
询(868815-0090) 双栅高压p型金属氧化物半导体管
有(868815-0089) 双栅高压n型金属氧化物半导体管
限(868815-0088) 通过利用原子氧氧化提高栅极活性的方法
公(868815-0087) 制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法
司(868815-0086) 使用栅极耦合金氧半场效晶体管的静电保护电路
(868815-0085) 使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器
(868815-0084) 一种用于双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体存储器且具有二位清除能力的控制栅极***
(868815-0083) 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体的控制栅极及字线电压升压设计
(868815-0082) 可电擦只读存储器及减少栅极氧化物的损坏的方法
(868815-0081) 用于制备具有改善的栅氧化层完整性的单晶硅的方法
(868815-0080) 镶嵌栅极多台面式金氧半场效应晶体管及其制造方法
(868815-0079) 栅极结构及其制造方法及具此栅极结构的金氧半导体元件
(868815-0078) 具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法
(868815-0077) 使用金属氧化物形成双重栅极氧化物器件的方法及其合成器件
(868815-0076) 基于晶体管栅极氧化物击穿的组合现场可编程门阵列
(868815-0075) 以减少远处散射的栅极氧化制造高性能金属氧化物半导体晶体管的方法
(868815-0074) 超级自对准的沟-栅双扩散金属氧化物半导体器件
(868815-0073) 深亚微米集成电路制造工艺中集成不同厚度栅氧的方法
(868815-0072) 栅极氧化物的选择性渗氮
(868815-0071) 抑制栅极氧化膜劣化的方法
(868815-0070) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
(868815-0069) 金属氧化半导体晶体管的制造方法与缩小栅极线宽的方法
(868815-0068) 在乏硅环境下使用等离子增强化学气相沉积制程的金属栅极的氮氧间隔体的形成方法
(868815-0067) 栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构及其制造方法
(868815-0066) 具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(868815-0065) 具有台阶型栅氧化层的射频soi功率nmosfet及其制造方法
(868815-0064) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法
(868815-0063) 薄栅氧低功耗自恢复的电平移位栅电压控制电路
(868815-0062) 制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法
(868815-0061) 闪存工艺高压栅氧和隧穿氧化层形成方法
(868815-0060) 控制栅氧化层厚度的方法及半导体器件的制作方法
(868815-0059) 用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的**栅
(868815-0058) 形成不同厚度的栅氧化层的方法
(868815-0057) 具有源极场板的薄膜soi厚栅氧功率器件
(868815-0056) 具有栅极场板的薄膜soi厚栅氧功率器件
(868815-0055) 包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层
(868815-0054) 具有不同厚度栅极氧化物的esd结构
(868815-0053) 一种提高p阱栅氧化层电学厚度测量稳定性的测量结构
(868815-0052) 一种提高p阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构
(868815-0051) 一种片上系统器件的厚栅氧化层制造方法
(868815-0050) 用高密度等离子氧化层作为多晶硅层间绝缘层的分隔栅的构成
(868815-0049) 采用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路
(868815-0048) 栅极氧化层制作方法
(868815-0047) 栅氧化层的制备方法
(868815-0046) 金属氧化物半导体器件栅极的制造方法
(868815-0045) 超级自对准的沟-栅双扩散金属氧化物半导体器件
(868815-0044) 不对称高压mos器件栅氧化层保护方法及其应用
(868815-0043) 一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体器件的方法
(868815-0042) 改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺
(868815-0041) 采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法
(868815-0040) 具有在金属氧化物介质层中的电荷存储纳米晶体的集成电路器件栅结构及其制造方法
(868815-0039) 提高高压栅氧化层均匀性的工艺方法
(868815-0038) 金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法
(868815-0037) 双金属栅极互补金属氧化物半导体器件及其加工方法
(868815-0036) 改善分离栅极式闪存氧化层品质的方法
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(868815-0032) 制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法
(868815-0031) 氮化铝和氧化铝 氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法
(868815-0030) 具有多厚度栅极氧化层的槽型半导体器件及其制造方法
(868815-0029) 具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法
(868815-0028) 具有降低接通电阻的超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件
(868815-0027) 用于在一个衬底上形成不同厚度的双栅极氧化层的方法
(868815-0026) 具有分离栅的自对准双栅金属氧化物半导体场效应晶体管
(868815-0025) 通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
(868815-0024) 形成金属氧化物半导体器件的栅氧化物的方法
(868815-0023) 制造薄栅氧化硅层的方法
(868815-0022) 氮氧化物栅介质及其制作方法
(868815-0021) 21 97120453
(868815-0020) 具有浮动栅极的金属氧化物半导体晶体管的参考电压发生电路
(868815-0019) 双栅氧化层双功函数cmos的制造方法
(868815-0018) 在半导体衬底上制造不同厚度的栅氧化层的方法
(868815-0017) 制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法
(868815-0016) cmos中关断态栅极氧化层电场的减小
(868815-0015) 金属氧化物半导体栅控结构的半导体器件
(868815-0014) 半导体器件制造用炉及用其形成栅氧化层的方法
(868815-0013) 用于镇流电路的金属氧化物半导体栅控驱动器
(868815-0012) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
(868815-0011) 用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材及其制备方法
(868815-0010) 带放大栅极氧化物完整结构的半导体沟槽器件
(868815-0009) 超薄氮化硅 氧化硅栅极介电层的制造方法
(868815-0008) 非晶金属氧化物栅介质结构及其方法
(868815-0007) 基于晶体管栅氧化层击穿特性的可编程门阵列
(868815-0006) 降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法
(868815-0005) 在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料
(868815-0004) 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
(868815-0003) 应用于金属铁电氧化物和硅单管单元存储器的具有钛缓冲层的高-k栅氧化物
(868815-0002) 具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法
(868815-0001) 制造nand闪存的单隧道栅极氧化工艺
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