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光盘编号：858455 《掺杂晶体专题资料光盘》包括专利技术全文资料180份。整套光盘收费260元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
(858455-0180) 无损检测激光晶体掺杂浓度的装置
(858455-0179) 包层掺杂的平板波导激光放大器
(858455-0178) 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置
(858455-0177) 一种稀土离子掺杂的钼酸盐发光粉及其制备方法
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(858455-0174) 掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
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(858455-0168) 食品或饲料中三聚氰胺掺杂的快速检测方法及其试剂盒
(858455-0167) 一种掺杂的镍基碱性二次电池正极材料及其制备方法
(858455-0166) 采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构
(858455-0165) 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法
(858455-0164) 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法
(858455-0163) 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法
(858455-0162) yb和er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法
(858455-0161) 光子雪崩机制zn和er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法
(858455-0160) in、fe和cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
(858455-0159) 一种纳米稀土氧化物掺杂钼合金的制备方法
(858455-0158) 高介电y5v型三稀土掺杂钛酸钡陶瓷材料及其制备方法
(858455-0157) mg、hf和fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法
(858455-0156) 成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法
(858455-0155) 含有掺杂剂的磷化铟晶体及其制造方法
(858455-0154) 含有掺杂剂的磷化铟晶体及其制造方法
(858455-0153) 掺杂稀土的镥铝石榴石晶体制备工艺
(858455-0152) 一种用于掺杂锗单晶体掺杂剂的装置
(858455-0151) 一种高电导率铝掺杂氧化锌纳米粉体及其制备方法
(858455-0150) 一种高电导率铝掺杂氧化锌纳米粉体及其制备方法
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(858455-0148) 锶、钡掺杂铌锑锆钛酸铅系压电陶瓷及制备方法
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(858455-0142) 异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法
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(858455-0135) 一种氨气掺杂制备增强型zno沟道层薄膜晶体管的方法
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询(858455-0085) 光催化活性溴掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法
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(858455-0003) 用于将砷掺杂剂加入硅晶体生长工艺中的方法和装置
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