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光盘编号：858451 《氧化晶体专题资料光盘》包括专利技术全文资料400份。整套光盘收费330元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
(858451-0400) 金属氧化物半导体晶体管元件
(858451-0399) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(858451-0398) 电压控制晶体管和横向扩散金属氧化物半导体晶体管
(858451-0397) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
(858451-0396) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(858451-0395) 具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
(858451-0394) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(858451-0393) 侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管
(858451-0392) 使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器
(858451-0391) 一种生长氧化锌晶体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
(858451-0390) 生长高温氧化物晶体用组合式坩埚
(858451-0389) 大纵横比的片状α-氧化铝晶体及其制备方法
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(858451-0387) 形成金属氧化物半导体晶体管的方法
(858451-0386) 压电晶体精微加工用高纯度α-三氧化二铝、炭化硅微米、纳米级粉体材料的生产方法
(858451-0385) 具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法
(858451-0384) 具有直接沟槽多晶硅接触的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法
(858451-0383) 金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
(858451-0382) 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
(858451-0381) 用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路
(858451-0380) 制备纳米晶体混合金属氧化物的方法及由该方法获得的纳米晶体混合金属氧化物
(858451-0379) 功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局
(858451-0378) 溶胶凝胶法制备氧化锌薄膜晶体管的方法
(858451-0377) 使用非晶氧化物半导体膜的薄膜晶体管的制造方法
(858451-0376) 氧化锌系半导体晶体的制造方法
(858451-0375) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
(858451-0374) 全稳定立方相氧化锆晶体纤维的制备方法
(858451-0373) 击穿电压提高的金属氧化物半导体(mos)晶体管及其制造方法
(858451-0372) 平面分离栅极高性能金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法
(858451-0371) 制备纳米晶体金属氧化物的方法
(858451-0370) n型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
(858451-0369) p型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
(858451-0368) 一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
(858451-0367) 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
(858451-0366) 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
(858451-0365) 使用氧化物半导体薄膜晶体管的发光器件及使用该发光器件的图像显示装置
(858451-0364) 金属氧化物半导体场效应晶体管结构
(858451-0363) 一种氧化物-氮化物-氧化物和多晶体残余的移除方法
(858451-0362) 使用ⅲ-ⅴ族化合物半导体及高介电常数栅极电介质的掩埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
(858451-0361) 金属氧化物半导体场效应晶体管
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(858451-0359) α型晶体结构为主体的氧化铝被膜相关技术
(858451-0358) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化
(858451-0357) 沟槽金属氧化物场效应晶体管及其制造方法
(858451-0356) 一种一维硅 二氧化硅光子晶体滤波器
(858451-0355) 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法
(858451-0354) 高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(858451-0353) 横向扩散金属氧化物晶体管
(858451-0352) 一种实现氧化亚铜晶体形态可控的水热制备方法
(858451-0351) 利用有机添加剂控制氧化亚铜晶体外部形态的制备方法
(858451-0350) 低栅极感生的漏极泄漏的金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制备方法
(858451-0349) 具有通过使用非晶氧化物膜而形成的栅绝缘层的场效应晶体管
(858451-0348) 薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质
(858451-0347) 使用氧化物膜用于沟道的场效应晶体管及其制造方法
(858451-0346) 金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法
(858451-0345) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
(858451-0344) 用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
(858451-0343) 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
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(858451-0341) 一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
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(858451-0338) 保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法
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(858451-0336) 高压金属氧化物半导体晶体管
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(858451-0333) 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
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(858451-0330) 高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管
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(858451-0328) 一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管
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(858451-0306) 互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
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